型、面接触型和平面型二极管三类。
点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。面接触型二极管PN结面积大，结电容也小，多用在低频整流电路中。平面型二极管PN结面积有大有小。
本课小结：
1、N型半导体，自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。P型半导体，空穴为多数载流子，热激发形成的自由电子是少数载流子
2、PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。
3、半导体二极管的构成：一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来。
f作业布置：P221、2、3题
板书设计：
PN结及其单项导电性
N型半导体：自由电子为多数载流子空穴为少数载流子
P型半导体：空穴为多数载流子自由电子为少数载流子
单项导电性：PN结外加正向电压时处于导通状态外加反向电压时处于截止状态
教学反思：
作业：P221、2、3
f授课计划
授课时数：2授课教师：赵启学授课时间：课题：半导体二极管教学目的：
1、掌握半导体二极管的伏安特性与主要参数2、了解半导体二极管的使用常识
教学重点：1、二极管的符号及主要参数2、二极管的伏安特性教学难点：二极管的伏安特性教学类型：理论课教学方法：讲授法、启发式教学、观察法教学过程：引入新课：
回顾上节课所学内容，1、N型半导体，自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。P型半导体，空穴为多数载流子，热激发形成的自由电子是少数载流子2、PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。3、半导体二极管的构成：一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来。（10分钟）
讲授新课：
一：半导体二极管的伏安特性（30分钟）
1、PN结的伏安特性方程PN结两端的电压U和和流过PN结的电流I的关系：
为PN结的反向饱和电流
f为温度的电压当量，正偏时U与I为正值，反偏时U与I为负值
2、二极管的伏安特性曲线
（1）正向特性外加正向电压较小时，外电场不足以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍
处于截止状态。正向电压大于死区电压后，正向电流随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为05V，锗管约为02V（2）反向特性
二极管电压时，反向电流很小（I≈IS），而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流
结论：（1）二极管是非线性原件（2）二极管具有单项导电性
（3）反向击穿特性从图117可见r