元根据具体需要可以读出，也可以写入或改写。由于RAM由电子器件组成，所以只能用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失，故属于易失性元件。现在的RAM多为MOS型半导体电路，它分为动态和静态两种。动态RAMDRAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以动态RAM需要设置刷新电路Refresh如此一来需要花费额外的时间；而静态RAMSRAM是靠双稳态触发器来记忆信息的不须重复的做刷新的动作即可保存数据所以存取速度要比DRAM快上许多。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以高速缓冲存储器（Cache）使用SRAM，而主内存通常采用DRAM。我们平常所接触的内存条就是由DRAM芯片构成的。
○DRAM的种类FPMDRAM（FastPageModeDRAM），即快速页面模式的DRAM。
f是一种改良过的DRAM，一般为30线或72线（SIMM）的内存。工作原理大致是，如果系统中想要存取的数据刚好是在同一列地址或是同一页（Page）内，则内存控制器就不会重复的送出列地址，而只需指定下一个行地址就可以了。
EDODRAM（Exte
dedDataOutDRAM），即扩展数据输出DRAM。速度比FPMDRAM快1530。它和FPMDRAM的构架和运作方式相同，只是缩短了两个数据传送周期之间等待的时间，使在本周期的数据还未完成时即可进行下一周期的传送，以加快CPU数据的处理。EDODRAM目前广泛应用于计算机主板上，几乎完全取代了FPMDRAM，工作电压一般为5V，接口方式为72线（SIMM），也有168线（DIMM）。
BEDODRAM（BurstEDODRAM），即突发式EDODRAM。是一种改良式EDODRAM。它和EDODRAM不同之处是EDODRAM一次只传输一组数据，而BEDODRAM则采用了