膨胀系数与GaAs
相近，也具有良好的热传导性等其他优良性能，可是，这种材料由于剧毒，不符
合现代材料研究中对环境友好性的要求，因而限制了它的应用。
为满足现代航空航天电子封装的需要，急需寻找一种新型轻质电子封装材料，
而高硅铝合金以及金属基复合材料电子封装正好复合这一要求，作为新型轻质电
子封装材料，高硅铝合金以及金属基复合电子封装材料有着十分诱人的应用前景，
代表了新型轻质封装材料的发展方向。
13高硅铝合金电子封装材料
高硅铝合金电子封装材料由于具有质量轻（密度小于27gcm3）、热膨胀系
数低、热传导性能良好、以及高的强度和刚度，与金、银、铜、镍可镀，与基材
可焊易于精密机加工、无毒等优越性能57符合电子封装技术朝小型化、轻量
化、高密度组装化方向发展的要求。另外铝硅在地球上含量都相当丰富硅粉的
制备工艺成熟成本低廉所以铝硅合金材料成为一种潜在的具有广阔应用前景的
电子封装材料受到越来越多人的重视特别是在航空航天领域。
高硅铝合金封装材料作为轻质电子封装材料其优点突出表现在一是通过改
变合金成分可实现材料物理性能设计；二是该类材料是飞行器用质量最轻的金属
基电子封装材料兼有优异的综合性能；三是可实现低成本要求。
表12硅和铝单质的性能
元素
Al
Si
熔点（℃）
660
1410
比热容（JkgK）
0905
0713
密度（gcm3）
27
23
热膨胀系数（×106K）（室
236
41
f温）
导热率（WmK）（室温）
237
148
由表12可见，利用硅和铝的单质配制的合金密度在2327gcm3之间，热
膨胀系数CTE在4511×106K之间，而导热率大于100WmK。故用这两种
胆汁材料，通过改变规律成分的配比，就可以制备出能满足航空航天电子封装材
料所要求的高硅铝合金。
131铸造高硅铝合金
熔炼铸造方法是指被大多数合金材料所使用的最广泛的一种方法，其设备简
单、成本低，可实现大批量工业化生产。熔铸法制备高硅铝合金材料主要有变质
铸造法和特种铸造等方法。
对于高硅铝合金材料，其性能在很大程度上与初晶硅、共晶硅的大小、形态
及分布有关若其尺寸粗大，则所获材料性能就差89。所以，细化初晶硅和共晶
硅晶粒尺寸就成了铸造铝硅合金的研究重点。
利用铸造法生产高硅铝合金其硅含量最高达到30，而且其铸态显微组织
主要由粗大的、孤立的、多面化的和高纵横比的一次Si晶体组成，这会导致材
料内部的各向异性，极不利于合金的综合性能和可加工性，所以，对于制造综合
性能要求比较严格的电子封装r