和量的杂质（种类有硼，磷，锑，砷。杂质的种类依电阻的N或P型）放入石英坩埚内溶化而成的料。重掺料主要用于生产低电阻率（电阻率＜0011欧姆／厘米）的硅片。
24
f损耗：单晶拉制完毕后的埚底料约15％。单晶硅棒整形过程中的头尾料约20％。单晶整形过程中（外径磨削工序）由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径磨削可以获得较为精确的直径。损耗约10％13％。例：4英寸5英寸标称直径100mm125mm拉晶直径106mm131mm磨削损耗1236983拉制参考损耗070080合计损耗13061063此外，由于单晶硅的电阻率范围、电阻率均匀性、杂质种类、缺陷状态等参数在不同客户的要求下，都会对成品的实收率有影响，即使是同一规格的产品，不同厂家生产该产品的合格率也会不同。一般来讲，由于晶体质量原因造成的损耗率为7．5％。从多晶硅单晶硅棒总损耗率：4英寸约为45．3％5英寸约为43．8％B、单晶硅棒单晶硅抛光片单晶硅棒加工成单晶硅抛光片过程中损耗主要在切片工序，如采用内园切割机在切割过程中由于刀片的研磨及切片过程中刀片的摆动造成。此间的损耗约34％35％，因此刀片质量是关键，刀片越薄损耗越小。例：
34
f4英寸5英寸切片刀厚3102538025硅片厚度650750损耗率3435其他工序的净损耗从切片到最终抛光，此间损耗约16671923。例：4英寸5英寸切片厚度650750抛光厚度525625损耗率19231667从单晶硅棒到抛光片的损耗还包括切片过程中的崩边、裂缝，磨片过程中的碎片和缺口，碱腐蚀过程中的沾污、花斑，抛光等过程中的碎片划伤造成的损耗，具体如下：切片5％、倒角1％、磨片5％、腐蚀2％、退火2％、抛光5％、清洗2％，此间损耗率约20％从单晶硅棒单晶硅抛光片的总损耗率：4英寸约为57．4％5英寸约为567％
44
fr