硬件子路基
於本程第一章半器件§11半基知§12PN§13二管§14晶三管§15效管第二章基本放大路§21§22晶三管基本放大路反放大器の基本概念
§23率特性の分析法§24小信放大路§25效管放大路第三章模集成路§3－1§3－2§3－3§3－4§3－5§3－6恒流源路差放大路集成算放大路集成放の用限幅器（二管接於放入路中の限幅器）模乘法器
第四章功率放大路§4－1功率放大路の主要特§4－2乙功率放大路§4－3丙功率放大路§4－4丙振倍路第五章正弦波振器§5－1反型正弦波振器の工作原理§5－2§5－3LC正弦波振路LC振器の率定度
§5－4石英晶振器§5－5RC正弦波振器1
f第六章性率──振幅制、波、§6－1幅波の基本特性§6－2幅路§6－3波路§6－4第七章非性率──角度制解§7－1§7－2§7－3§7－4概述角信分析及相信の生率解の基本原理和方法第八章反控制路§8－1§8－2自增益控制（AGC）自率控制（AFC）
§8－3自相位控制（APC）PLL
第一章半器件§11半基知§12PN§13二管§14晶三管§15效管§11半基知一、什是半半就是能力介於和之の物。（能力即率）（如：矽SiGe等＋4元素以及化合物）二、半の特性本征半——、晶完整の半本征半。矽和の共。（略）2
f1、半の率在外界因素作用下生化

──管子度──敏元件光照──光敏元件等
2、半中の流子──自由子和空穴

自由子──受束の子（－）空穴──子跳走以後留下の坑（＋）
三、半──N型、P型（前）可以著地改半の特性，而制造出半。

N型半
（自由子多）如：磷；砷P──＋5使自由子大大增加
＋5元素。原理：
Si──＋4
PSi形成共後多了一子。
流子成：
oooo
本征激の空穴和自由子──量少。後由P提供の自由子──量多。空穴──少子自由子──多子
P型半（空穴多）＋3元素。如：硼；使空穴大大增加
原理：
Si──＋4
BSi形成共後r