如图60（右）所示的两个晶闸管T1（P1N1P2）和（N1P2N2）组成的等效电路。
图60晶闸管的内部结构和等效电路一个PNPN四层结构的两端器件，可以看成电流放大系数分别为1和2的P1N1P2和N1P2N2晶体管，其中J2结为共用集电结。当器件加正向电压时。正偏J1结注入空穴经过N1区的输运，到达集电极结（J2）空穴电流为1IA；而正偏的J3结注入电子，经过P2区的输运到达J2结的电流为2IK。由于J2结处于反向，通过J2结的电流还包括自身的反向饱和电流ICO。晶闸管导通与关断两个状态是由阳极电压、阳极电流和门极电流共同决定
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f的。通常用伏安特性曲线来描述它们之间的关系，如图63所示。
图61晶闸管的伏安特性曲线当晶闸管VAK加正向电压时，J1和J3正偏，J2反偏，外加电压几乎全部降落在J2结上，J2结起到阻断电流的作用。随着VAK的增大，只要VAKVBO，通过阳极电流IA都很小，因而称此区域为正向阻断状态。当VAK增大超过VBO以后，阳极电流突然增大，特性曲线过负阻过程瞬间变到低电压、大电流状态。晶闸管流过由负载决定的通态电流IT，器件压降为1V左右，特性曲线CD段对应的状态称为导通状态。通常将VBO及其所对应的IBO称之为正向转折电压和转折电流。晶闸管导通后能自身维持同态，从通态转换到断态，通常是不用门极信号而是由外部电路控制，即只有当电流小到称为维持电流IH的某一临界值以下，器件才能被关断。当晶闸管处于断态（VAKVBO）时，如果使得门极相对于阴极为正，给门极通以电流IG，那么晶闸管将在较低的电压下转折导通。转折电压VBO以及转电流IBO都是IG的函数，IG越大，VBO越小。如图3所示，晶闸管一旦导通后，即使去除门极信号，器件仍然然导通。当晶闸管的阳极相对于阴极为负，只要VAKVRO，IA很小，且与IG基本无关。但反向电压很大时（VAKVRO），通过晶闸管的反向漏电流急剧增大，表现出晶闸管击穿，因此称VRO为反向转折电压和转折电流。
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f（2）总电路的原理框图
系统原理方框图如图所示：
3总电路原理图
4总电路工作原理
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f该电路主要由四部分构成，分别为电源，过电保护电路，整流电路和触发电路构成。输入的信号经变压器变压后通过过电保护电路，保证电路出现过载或短路故障时，不至于伤害到晶闸管和负载。在电路中还加了防雷击的保护电路。然后将经变压和保护后的信号输入整流电路中。整流电路中的晶闸管在触发信号的作用下动作，以发挥整流电路的整流作用。
在电路中过电保护r