所以这种力所涉及的范围只不过在2～3×10－8厘米（即2－3埃）左右，也就是象分子直径那么大小的距离，因此要彻底清除这些分子型杂质是比较容易的。分子型杂质的另一个重要特点是，大多是不溶于水的有机化合物，当它们吸附在硅片表面时将使硅片表面呈现疏水性，从而妨碍了去离子水或酸、碱溶液与硅片表面的有效接触，使得去离子水或酸．碱溶液无法与硅片表面或其它杂质粒子相互作用，因此无法进行有效的化学清洗。2离子型杂质吸附以离子形式吸附在硅片表面的杂质一般有K、Na、Ga2、Mg2、Fe2、H、（OH）、F、Cl、S2、（CO3）2等。这类杂质的来源最广可以来自于空气、用具和设备、化学药品、纯度不高的去离子水、自来水、操作者的鼻和嘴呼出的气体、汗液等各个方面。离子型杂质吸附多属于化学吸附的范畴，其主要特点是杂质离子和硅片表面之间依靠化学键力相结合，这些杂质离子与硅片表面的原子所达到的平衡距离极小，以至于可以认为这些杂质离子已成为硅片整体的一部分。根据化学吸附杂质的性质，有的可以是晶格自由电子的束缚中心，充当电子的陷阱，起着受主的作用；有的可以作为自由空穴的束缚中心，起着施主的作用。由于化学吸附力较强，所以对这种杂质离子的清除较之分子型杂质困难得多。3原子型杂质吸附以原子形式吸附在硅片表面形成沾污的杂质．主要是指如金、银、铜、铁、镍
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f等金属原子。这些金属原子一般是来自于酸性的腐蚀液，通过置换反应将金属离子还原成为原子而吸附在硅片表面。原子型杂质吸附力最强比较难以清除。兼之金、铂等重金属原子不容易和一般酸、碱溶液起化学反应，因此必须采用诸如王水之类的化学试剂，使之形成络合物并溶于试剂中，然后才能用高纯去离子水冲除。（四）硅片清洗的一般程序通过上面分析，分子型杂质比较容易清除。这种杂质的存在，对于清除离子型和原子型杂质具有掩蔽作用。因此在对硅片进行化学清洗时，首先应该把它们清除干净。离子型和原子型吸附的杂质属于化学吸附杂质，其吸附力都较强，在一般情况下，原子型吸附杂质的量较小，而且它们不和酸、碱发生化学反应，必须用王水或酸性双氧水才能溶除。王水和酸性双氧水还能溶除离子型杂质，因此在化学清洗时，一般都采用酸、碱溶液或碱性双氧水先清除掉离子型吸附杂质，然后再用王水或酸性双氧水清除残存的离子型杂质及原子型杂质。最后用高纯去离子水冲洗干净。综上所述，清洗硅片的一般程序为：去油→去离子→去原子→去离子r