……………A、电源换流B、负载换流C、强迫换流D、器件换流
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f二、判断题（正确打√，错误打×，共10分）
11、GTR一次击穿后，若集电极电流不超过与最大允许耗散功率相对应的限制，GTR不会损坏。……………………………………………………………12、电力MOSFET一般工作在开关状态，即在截止区和饱和区之间来回转换。………………………………………………………………………………13、对于IGBT，如果集电极电流过大，栅极将失去对集电极电流的控制作用，这种现象称为动态擎住效应。……………………………………………14、三相全控整流电路输出电压是电源相电压的一部分。…………………15、可控整流电路，当控制角增大时，功率因数也随之增大。……………16、凡是负载电流波形超前负载电压即容性负载都可以实现负载换流。…17、交流调功电路和相控交流调压电路的电路形式完全相同，只是控制方式不同。……………………………………………………………………………18、逆变电路的多重化除了用于调压外，另一个主要的目的是消除输出的高次谐波。…………………………………………………………………………19、交交变频电路可运行于整流和逆变状态，用于电动机调速可以很容易实现四象限运行。…………………………………………………………………20、由三角波和正弦波的自然交点产生SPWM波形，这种方法称为规则采样法。……………………………………………………………………………
三、填空题（共24分，每空15分）
21、图1所示为晶闸管的串联电路，晶闸管串联时要采用措施，图1中的两个RP的作用是；两个R、C串联的作用是。
RVT2RPC22、2所示为图电路，若输入电压为10V，开关S的开关周期为10mS，一个周期导通时间为5mS，在电流连续、理想的工作情况下，输出电压为V。（图1）23、逆变失败是指工作于逆变状LD态的变流器，由于某种原因，出R现了输出平均电压和直流电动势的状态，而变UiSUoC流器内阻很小，于是产生很大的短路电流；造成逆变失败的原因有：、（图2）。（任意写2种）24、晶闸管导通的2个条件是：（1）、（2）。
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RVT1RPC
f25、如图3所示，IGBT的缓冲电路，为电路中，S、的作用是LVD
缓
冲，RS、VDS、CS的作用是缓冲。26、图4为两组变流器反并联的可逆线路，工作于正转逆变状态，1组（正组）r