定的损耗。还有一种与其相类似的电路如图2b所示改进之处在于它只需要单电源。其产生的负压由52V的稳压管提供。同时PNP管换成NPN管。在该电路中的两个MOSFET中上管的发热情况要比下管较轻其工作原理同上面分析的驱动电路故不再赘述。
f22隔离的驱动电路
（1）正激式驱动电路
电路原理图如图3a所示N3为去磁绕组S2为所驱动的功率管。R2为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。因变压器漏感较小且从速度方面考虑一般R2较小故在分析中忽略不计。其工作波形分为两种情况一种为去磁绕组导通的情况见图4（a）一种为去磁绕组不导通的情况见图4b。等值电路图如图3b所示脉冲变压器的副边并联电阻R1它做为正激式变换器的假负载用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通见图5。同时它还可作为功率MOSFET关断时的能量泄放回路。该驱动电路的导通速度主要与被驱动的S2栅、
源极等效输入电容的大小、S1的驱动信号的速度以及S1所能提供的电流大小有关。由仿真及分析可知占空比D越小、R1越大、L越大磁化电流越小U1值越小关断速度越慢。该电路具有以下优点：①电路结构简单可靠实现了隔离驱动。②只需单电源即可提供导通时正、关断时负压。③占空比固定时通过合理的参数设计此驱动电路也具有较快的开关速度。该电路存在的缺点：一是由于隔离变压器副边需要一个假负载防震荡故该电路损耗较大二是当占空比变化时关断速度变化加大。脉宽较窄时由于是贮存的能量减少导致MOSFET栅极的关断速度变慢。表1为不同占空比时关断时间toff（驱动电压从10伏下降到0伏的时间）内变化情况。表1不同占空比时toff的变化情况
占空比toff微秒）
0324
03708
04504
f（2）有隔离变压器的互补驱动电路如图6a所示V1、V2为互补工作电容C起隔离直流的作用T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。导通时隔离变压器上的电压为1－DUi、关断时为DUi若主功率管S可靠导通电压为12V则隔离变压器原副边匝比N1N2为121－DUi。为保证导通期间GS电压稳定C值可稍取大些。实验波形见图7a。该电路具有以下优点：①电路结构较简单可靠具有电气隔离作用。当脉宽变化时驱动的关断能力不会随着变化。②该电路只需一个电源即为单电源工作。隔直电容C的作用可以在关断所驱动的管子时提供一个负压从而加速了功率管的关断且有较高的抗干扰能力。
但该电路所存在的一个较大缺点是输出电压的幅值会随着占空比的变化而变化。当D较小时负向电压小
该
电r