门极控制关断提供了有利条件；
3多元集成结构使每个GTOS阴极面积很
小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较
大的电流成为可能。
27与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得它具有耐受高电压电流的能力？答1电力二
极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显着提高了二极管的通流能力。
2电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导
体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂
N区就可以承受很高的电压而不
被击穿。
28试分析IGBT和电力MOSFET在内部结构和开关特性上的相似与不同之处
IGBT比电力MOSFET在背面多一个P型层，IGBT开关速度小，开关损耗少具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较
低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小。开关速度低于电力
MOSFET。电力
MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好。所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题。
IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，1GBT是电压驱动型器件，
IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
电力MOSFE驱动电路的特点：要
求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。
211目前常用的全控型电力电子器件有哪些体
答：门极可关断晶闸管，电力晶闸管，电力场效应晶
管，绝缘栅双极晶体管。
31单相半波可控整流电路对电感负载供电，
L20mH，U2100V，求当
a0和60时的负载电流解：Id，并画Ud与id波形。
a0时，在电源电压载电流U2的正半周期晶闸管导通时，负载电感
L储能，在晶闸管开始导通时刻，负
为零。在电源电压
U2的负半周期，负载电感L释放能量，晶闸管继续导通。因此，在电源电压
U2的一个周期里，以下方程均成立
L也、2U2si
tdt
考虑到初始条件：当t0时
id0可解方程得：
id2U21costL
半A
Ud与id的波形如下图当a60°
时，在U2正半周期周期180300期60180期间晶闸管导通使电感
L储能，电感L储藏的能量在U2负半
间释放，因此在u2一个周期中60300期间以下微分方程成立：
考虑初始条件：当
t60时id0可解方程得：id
宁至costdt一A其平均值为d3L2
2
V2U21
一cost
L2
22LU2
此时Ud与id的波形如下图：
32图310为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化问题
吗？试说明：①晶闸管r