时，将导致错误的长时间常数值。
611如果时间常数随着沿衰退曲线越来越往后部进行的测量而增加，可辨识出陷阱效应存在。612硅中陷阱可依靠将样品加热到50至70℃或用稳态背景泛光照射样品的办法消除掉。613少数载流子寿命不应在陷阱贡献超过衰退曲线总幅度5（测量方法A）或衰退曲线为非
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f指数（测量方法B）的样品上确定。62测量受表面复合效应的影响，特别是使用小样品时。本法规定的表面制备导致无限大的表
面复合速度，对具有无限大表面复合速度的样品的表面复合修正和特定推荐的样品尺寸见表3。在计算节中还给出了总的修正公式。当样品表面面积与体积之比很大时，修正特别重要。621如果表面复合修正项太大，则少数载流子测量的精密度严重劣化。建议对观测到的衰退时间所作的修正不要超过衰退时间观测值倒数的一半。在标准棒条样品上能够被测量的最大体寿命值列于表2。63如果要使实际是样品两端电位衰退的观察到的衰退等于光注入载流子的衰退，则样品中的电导率调制必须很小。631测量方法A在测得的样品直流电压最大调制值V0Vdc超过001时允许采用修正。632测量方法B不允许采用这种修正。在此方法中，低水平光注入的条件是：在恒定光照时样品中处于稳态的注入少数载流子浓度与平衡多数载流子浓度之比应小于0001（见1210节）。如果光注入不能减小到低水平值，样品不适于用本法测量。64样品中的非均匀性可导致光电压使光电导衰退信号扭曲。在本标准两个测量方法中都提供了检测光电压存在的方法（见115及126节）。在没有电流时有光电压存在的样品不适于用本法测量少数载流子寿命。65光注入载流子的较高次模衰退能影响衰退曲线的形状，特别是在其早期（2）。使用脉冲光源时此现象更显著，因为其注入载流子的初始浓度比使用斩波光源更不均匀。因此，测量方法A要求使用滤光片（用以增加注入载流子浓度的均匀性）以及在衰退曲线较高次模消失后进行样条寿命的测量。66少数载流子如果被电流建立的电场扫到样品尾端，它们将不再对衰退曲线有贡献。本标准两个测量方法都要求使用遮罩遮住样品尾部使之不受光照，并给出监测方法保证扫出效应不显著。67半导体杂质的复合特性与温度强烈相关，因而控制测量温度是必要的。如果要进行数据的比较，各次测量应在同一温度下进行。68不同的杂质中心有不同的复合特性。样品中如果有不只一种复合中心存在时，衰退可由两条或多条具有不同时间常数的指数曲线组成，使得最终衰退曲线呈非指r