单晶硅非平衡少数载流子寿命测试文集
浙江金贝太阳能科技有限公司编译2014年6月16日
f前言
硅载流子复合寿命的测量一直是国内外半导体行业十分重视的课题，我们列出ASTM、SEMI标准中三个涉及寿命测量的方法：
1、SEM1MF2802（2003年11月出版）TestMethodsforMi
orityCarrierLifetimei
BulkGerma
iuma
dSilico
byMeasureme
tofPhotoco
ductivityDecay光电导衰退测量锗和硅体少数载流子寿命的测量方法。
2、SEMIMI5351104（2004年11月出版）Sta
da
dTestMethodforCarrierRecombi
atio
Lifetimei
Silico
wafersbyNo
co
tactMeasureme
tofPhotoco
ductivityDecaybyMicrowaveReflecta
ce微波反射无接光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法。
3、ASTMDesig
atio
F39196Sta
dardTestMethodsforMi
orityCarrierDiffusio
Le
gthi
Extri
sicSemico
ductorsbyMeasureme
tofSteadystateSurfacePhotovoltage用稳态表面光电压测量半导体中少数载流子扩散长度的标准方法。
第1个标准（MF28）是美国材料试验协会最早发的寿命测试标准，它针对体形规则表面经研磨的单晶计算出最大可测体寿命，这个标准阐述了测量锗、硅单晶体寿命的经典方法，并在近年来又做了一些重要补充和修订，但我国现有版本的译文是1987年根据ASTM1981年重新审批的2875文本翻译的，距今已有二十多年了。
第2个标准（M15351104），侧重阐述了表面复合速度对硅片寿命测量的影响，并给出减少表面复合影响的处理方法，是测准硅片寿命的重要文献，但至今尚未见到中译本。
1、2两个标准都是我国很多从事寿命测量的技术人员和领导深入了解寿命测量时很需要参考的重要资料，也是我们公司在研制寿命仪的过程中必须比较透彻了解的两个标准，因此，公司请王世进总工及单晶硅测试方面的老专家江瑞生老师对上述标准进行了翻译，现将译文及有关本公司寿命测量的资料汇编在一起，希望能对半导体行业的同仁们有所助益，也作为对中国有色金属工业标准计量质量研究所在银川组织召开，由西安隆基硅材料有限公司承办的《太阳能级单晶硅》国标讨论会的一个献礼。
浙江金贝太阳能科技有限公司
f目录
1太阳能级单晶硅少子寿命测量的探讨………………………………………………………………12SEMIMF2802光电导衰退测量锗和硅体少数载流子寿命的测量方法…………………………33SEMIMF15351104微波反射无接触光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法…………16
相关资料1注入水平探讨………………………………………………………………………25相关资料2载流子复合寿命的温度关系…………………………………r