摘要：摘要：光刻在半导体集成电路制造工艺中，无论是从占用的资金、技术还是人员来看，都有举足轻重的地位。光刻工艺的发展历史就是集成电路的发展历史，光刻技术的发展现状就是集成电路的发展现状，不论是最低端的，还是今天最为先进的集成电路制造，光刻技术水平始终决定着集成电路的生产水平。关键词：光刻曝光分辨率关键词引言：引言30多年以来，集成电路技术的发展始终是随着光学光刻技术的不断创新所推进的。在摩尔定律的驱动下，光学光刻技术经历了接触／接近Alig
er、等倍投影、缩小步进投影Stepper、步进扫描投影Sca
er曝光方式的变革见图l所示，曝光波长由436
m的h线向365
m的i线、继而到248
m的KrF0．5m、0．35m、0．1m、90
l、65
m、45
l等节点光刻技术始终为摩尔定律的不断向前推进而孜孜不懈地努力着目前已迈向了32
。，节点的开发阶段。一．推动光刻技术和设备发展的动力经济利益是si片直径由200ram向300mm转移的主要因素Ca
o
于1995年着手300ram。曝光机推出了EX3L和5L步进机于1997～1998年提供日本半导体超前边缘技术SELETE，，集团使用ASML公司的300ram步进扫描曝光机使用193
m波长型号为FPA2500也于1999，，，年提供给SELETE集团使用。曝光是芯片制造中最关键的制造工艺，由于光学曝光技术的不断创新，一再突破人们预期的极限，使之成为当前曝光的主流技术。1997年美国GCA公司推出了第一台分布重复投影曝光机，被视为曝光技术的一大里程碑，1991年美国SVC公司推出了步进扫描曝光机，它集分布投影曝光机的高分辨率和扫描投影机的大视场、高效率于一身，更适合0125m线条的大规模生产曝光。后来Niko
公司又推出了NSR2S204B，用KrF，使用变形照明MBI可做到0115111的曝光。ASML公司也推出PAS15500／750E，使用该公司的AERILAIJII照明，可解决0113i
曝光。但1999ITRS建议。01l3111曝光方案是用193
m或248
m加分辨率提高技术RET；0110
l曝光方案是用157、193
m加RET、接近式x光曝光PxL或离子束投影曝光IPL。目前，Ic加工中线宽在0．25m以上的大生产光刻设备，基本都采用i谱线光源，当线宽在0．25g．m0．18m时，将采用248
mDUV远紫外投影光刻技术，若将DUV辅以提高光刻分辨率的诸多措施，将可用于0．15mIC器件的研制，这种光源多采用KrF准分子激光器。但到了0．18m以下时，人们还是认为光学光刻将会发展193
m和157
mVUV真空紫外／深紫外准分子激光光刻技术。193
m技术已比较成熟4，商品化在即，只是还有些问题正在解决，r