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常见问题解答
衡量内存条技术的主要指标是什么
衡量内存条技术的一个重要指标是打兰芯片的存取时间,通常用
纳秒(
s)表示,
通过其芯片技术的革新来缩短存取时间和提高内存访问周期效率的。FP
EDO打兰占据原PC内存条的大部分市场,但随着电
脑进入奔腾时代SDRAM已作为内存条最新技术要求取代了前两者在新
型号电脑上的位置。SDRAM
CPU定时同步的打兰技
术,它可以高达100MHz的速度传递数据,是标准打兰的4倍,其性能也
比EDO内存条提高30%。随着电脑科技的发展,SDRAM将成为内存条上的
主要产品,以适应如多媒体、服务器、数字、ATM转换器与其他需要高
带宽与快速传输率的网络化、通信软件的需求。
在内存条模块生产技术上,新型的168线DIMM内存条模块成为新时期
内存条的主流。DIMM在线模块,与SIMM在线模块有很大区别,其中168
线64位DIMM模块在长度增加不多的情况下将模块的总线宽度增加一倍。
怎样对内存参数进行微调
目前绝大多数主板的BIOS都提供了对内存参数进行微调的功能,但
厂商不同、具体主板采用的芯片组不同,或以调节的项目也不相同。由
于内存运行参数微调涉及到非常专业的知识,这里只讲该调节一些什么
项目,以及怎样调节。
CL值是调节最频繁的内存参数。CL是CASLate
cy(CAS延迟)的简
写,该参数对内存性能的影响最大,CL值越小表明内存的性能越高。按
PC133规范的技术文档说明,只有运行频率为133MHz、CL2的内存,才
真正符合PC133标准。目前市场上的很多所谓的PC133内存都不能做到
CL2。DDRSDRAM内存的CL目前大多为25或2。
大多数主板BIOS都可以设置CL参数的值(在主板BIOS中该参数有的
表示为CASLate
cy,有的为SDRAMCASLate
cyTime,也有的表示为
SDRAMCycleLe
gth的),这个参数理论上可以随便设置,因此可以尽
量尝试减小该值。但此举如果导致系统无法启动或运行中死机,就应该
及时还原该参数。部分主板提供了更为详细的三个内存参数SDRAMRAS
PrechargeTime、SDRAMRASToCASDelay和SDRAMCASLate
cyTime
选择。这几个数值都可以慢慢尝试将其减小。
从VIA693芯片组开始,VIA公司的所有芯片组还支持一个比较特殊
的设置,这就是SDRAM的四路交错(4WayI
terleave)。该参数可以
f大大提高SDRAM的预充电效率,从而提升内存性能。目前很多采用VIA芯片组的主板都有这个设置,它在菜单中的选项往往被称为Ba
kI
terleave。在设置时,只要将其更改为4Ba
k或4WayI
terleave即可。
内存优化常用的工具有哪些内存优化工具可以帮助系统更好地使用内存。常用的内存优化工具如下:r
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