存储器实验报告
姓名：康道顺班级：计科142班学号201401014233
f实验二存储器实验
一、实验目的
1初步了角存储器EM的工作原理。2掌握存储器EM的操作步骤。
二、实验要求
利用COP2000实验仪上的K16K23开关做为DBUS的数据，其它开关做为控制信号，将地址数据写入存储器EM中，并读出。
三、实验说明
EM原理图
存储器EM由一片6116RAM构成，通过一片74HC245与数据总线相连。存储器EM的地址可选择由PC或MAR提供。存储器EM的数据输出直接接到指令总线IBUS，指令总线IBUS的数据还可以来自一片74HC245。当ICOE为0时，这片74HC245输出中断指令B8。
连接线表连接1234567信号孔J2座IRENPCOEMAROEMARENEMENEMRD接入孔J3座K6K5K4K3K2K1作用将K23K16接入DBUS70IRuPC写允许PC输出地址MAR输出地址MAR写允许存储器与数据总线相连存储器读允许低电平有效低电平有效低电平有效低电平有效低电平有效低电平有效有效电平
f89101112
EMWRPCCKMARCKEMCKIRCK
K0CLOCKCLOCKCLOCKCLOCK
存储器写允许PC工作脉冲MAR工作脉冲写脉冲IRuPC工作脉冲
低电平有效上升沿打入上升沿打入上升沿打入上升沿打入
实验1：PCMAR输出地址选择
置控制信号为：K5PCOEK4MAROE地址总线PC输出地址MAR输出地址1010地址总线浮空错误PC及MAR同时输出PC及MAR地址输出指示灯亮红色地址输出指示灯PC地址输出指示灯亮MAR地址输出指示灯亮
以下存贮器EM实验均由MAR提供地址
实验2：存储器EM写实验
（1）将地址0写入MAR二进制开关K23K16用于DBUS70的数据输入，置数据00HK23K22K21K20K19K18K17K16
置控制信号为：K6IRENK5PCOEK4MAROEK3MARENK2EMENK1EMRDK0EMWR
按CLOCK键将地址0写入MAR（2）将地址11H写入EM0二进制开关K23K16用于DBUS70的数据输入，置数据11HK23K22K21K20K19K18K17K16
置控制信号为：K6IRENK5PCOEK4MAROEK3MARENK2EMENK1EMRDK0EMWR
按CLOCK键将地址11H写入EM0（3）将地址1写入MAR
f（4）将地址22H写入EM1
实验3：存储器EM读实验
（1）将地址0写入MAR二进制开关K23K16用于DBUS70的数据输入，置数据00HK23K22K21K20K19K18K17K16
置控制信号为：K6IRENK5PCOEK4MAROEK3MARENK2EMENK1EMRDK0EMWR
按CLOCK键将地址0写入MAR（2）读EM0置控制信号为：K6IRENK5PCOEK4MAROEK3MARENK2EMENK1EMRDK0EMWR
EM0被读出11H
（3）将地址1写入MAR
（4）读EM1置控制信号为：K6IREN1K5PCOE1K4MAROE0K3MAREN1K2EMEN1K1EMRD0K0EMWR1
EM1被读出22H
实验4r