教学重点课型授课时数授课班级
新课1
教学目标
工作状态的判别教学难点
学情分析
教学效果
教后记
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fA．复习1．三极管的类型、分类、结构。2．三极管的电流分配关系。3．三极管的电流放大作用。新课B．引入三极管的基本作用已经明了，还需进一步了解三极管的特性，包括输入特性和输出特性的特性曲线，三极管在不同电压条件下的工作状态等。C．新授课一、三极管共发射极输入特性1．定义：VBE与IB的数量关系。2．输入特性曲线对每一个固定的VCE值，IB随VBE的变化关系。
（学生根据电路图写公式）
（1）当VCE增大时，曲线应右移。（2）当VBE03V时，曲线非常靠近。（3）当VBE大于发射结死区电压时，IB开始导通。导通后VBE的电压称为发射结正向电压或导通电压值，硅管为07V，锗管约为03V。二、晶体三极管的输出特性曲线1．定义每一个固定的IB值，测出IC和VCE对应值的关系。
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f2．三个区域（1）截止区：①IB0，三极管截止，IB0以下的区域。②IB0，IC≠0，即为ICEO。③三极管发射结反偏或两端电压为零时，为截止。（2）饱和区：①VCE较小的区域。②IC不随IB的增大而变化。③饱和时的VCE值为饱和压降。④VCES：硅管为03V，锗管为01V。⑤发射结、集电结都正偏，处于饱和。（3）放大区：①IC受IB控制，ΔICΔIB，具有电流放大作用。②恒流特性：IB一定，IC不随VCB变化，IC恒定。③发射结正偏，集电结反偏，处于放大状态。总结：三极管工作状态由偏置情况决定。放大发射结正偏集电结反偏NPNPNPVC＞VB＞VEVC＜VB＜VE截止饱和发射结正偏集电结正偏VB＞VE，VC＞VEVB＜VE，VC＜VE（本组题为已知管型。）指导：先看VBE再看VBC，NPN多为硅管，PNP多为锗管，饱和区VCE≈03V）
发射结反偏或零偏VB≤VEVB≥VE
例题：1．判别三极管的工作状态
2．将上题改为PNP型硅管再作判别。
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f3．判断三极管的放大状态，各极名称、管型。
（本组题为未知管型仅知管脚电位）指导：1．中间电位值的为基极。2．电位值接近基极的为发射极。电位值与基极相差较大的是集电极。3．VBE07V或接近，为NPNVBE03V或接近，为PNP）
4．根据输出特性曲线计算直流放大系数、交流放大系数、ICEO、ICBO等
习题二26，27，28，29练习
小结
1．三极管特性曲线2．三个区域、三个状态3．三个状态判别的方法
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f布置作业
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f215三极管的主要参数
课题课型授课时数1．了解三极管的主要参数。2．会简单测试三极管硅管、锗管r