压降为2～3V。IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。
2．动态特性IGBT在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。tdo
为开通延迟时间，tri为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间to
即为tdo
tri之和。漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成，如图2－58所示
IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，tdoff为关断延迟时间，trv为电压Udsf的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图2－59中的tf1和tf2两段组成，而漏极电流的关断时间tofftdofftrv十tf（2－16）式中，tdoff与trv之和又称为存储时间。
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