第二章信号的运算与处理一、分析依据运算放大器的理想特性和工作在深度负反馈下的两个概念
①Ri很大，Ro很小，A很大
②虚短在深度负反馈的条件下，运放的两输入端的电压差为零
即u＝uNP
③虚断运放的两输入端不取用电流。
即i＝i＝0NP
1）节点电流法对电路中的任一节点，直接连接于该节点的所有支路的电流之代数和恒等于零。2）叠加原理由两个或多个信号源所产生的响应表示为每一个信号源单独作用时所产生的响应之和。二基本运算电路1分析设计公式
1）反相比例运算电路R2R1Rf
电路特点：高输入阻抗，共模误差大设计注意事项：提供偏置电流通道
平衡输入偏置电流
2）同相比例运算电路R2R1Rf
电路特点：输入阻抗低
共模误差小
设计注意事项：交流反相放大电路抑制高频噪声
平衡输入偏置电流
f3）反相求和运算电路R4R1R2R3Rf
4）同相求和运算电路R1R2R3R4RfR5
5）加减运算电路R1R2RfR3R4R5
6）基本差动放大电路
R3
R1
iN
vI1vI2
R2
vNvP
iP
－

A
R4
7）仪用放大器

RLvO
－
R1R2R3R4
vO
R3R1
vI2－vI1
v1

vO1R3
R4
－A1
R1
R2
R2
－
A3
vO
－
R3
v2
A2
vO2
R4
2电路特点及设计注意事项三、其他应用
1积分运算
vO－
R41R3
2R2R1

v1－
v2
f2微分运算
3绝对值运算电路第三章半导体二极管
一半导体的基础知识1半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质如硅Si、锗Ge。2特性光敏、热敏和掺杂特性。3本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。4两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
P型半导体在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。N型半导体在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6杂质半导体的特性载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7PN结PN结的接触电位差硅材料约为0608V，锗材料约为0203V。PN结的单向导电性正偏导通，反偏截止。8PN结的伏安特性
二半导体二极管单向导电性正向导通，反向截止。二极管伏安特性同ＰＮ结。正向导通压降硅管0607V，锗管0203V。死区电压硅管05V，锗管01V。
1）图解分析法
该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点r