第一章半导体器件测试题
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。）（（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。）（（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。）（（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）（5）结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。）（（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。）（（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×解：二、选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A变窄B基本不变C变宽（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是AISeUBISe
UUT
。
CISeUUT－1
（3）稳压管的稳压区是其工作在。A正向导通B反向截止C反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为A前者反偏、后者也反偏B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。A结型管B增强型MOS管C耗尽型MOS管（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC解：
。
三、写出图T13所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝07V。
图T13
解：UO1≈13V，UO2＝0，UO3≈－13V，UO4≈2V，UO5≈13V，
fUO6≈－2V。四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmi
＝5mA。求图T14所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
图T14
解：UO1＝6V，UO2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图T15所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。
图T15
解图T15
解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈667mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图T15所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。六、电路如图T16所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝07V。试问：
f（1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流解：和管压降分别为VUBEIBBB26μARb
ICβIB26mAUCEVCCICRC2V
所以输出电压UO＝UCE＝2V。（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝07V，所以
图T16
ICIBRb
VCCUCES286mARcIC
β
286A
VBBUBE≈454kIB
七．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T17所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态截止r