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第3章自测题与习题参考答案
第3章场效应管及其基本放大电路
自测题
31填空题1．按照结构，场效应管可分为优点是。极和极和极极极预先接在一起，则。它属于型器件，其最大的
2．在使用场效应管时，由于结型场效应管结构是对称的，所以可互换。MOS管中如果衬底在管内不与也可互换。3．当场效应管工作于线性区时，其漏极电流iD只受电压电压式为由图可知该管的IDSS
2
的控制，而与，增强型iD的表达
几乎无关。耗尽型iD的表达式为。，UP。
4．某耗尽型MOS管的转移曲线如题314图所示，
5．一个结型场效应管的电流方程为
UID161GSmA，则该管的IDSS4
UP；当uGS0时的gm，uDS，uDS。。
，
6．N沟道结型场效应管工作于放大状态时，要求
题314图
0uGS
求uGS置电路。
；而N沟道增强型MOS管工作于放大状态时，要
7．耗尽型场效应管可采用
偏压电路，增强型场效应管只能采用
偏，
8．在共源放大电路中，若源极电阻Rs增大，则该电路的漏极电流ID跨导gm，电压放大倍数。和有关。
2
9．源极跟随器的输出电阻与
2
答案：1．结型和绝缘栅型，电压控制，输入电阻高。2．漏，源，源，漏，源。
uu3．uGS，uDS，iDIDSS1GS，iDIDOGS1。4．4mA，3V。5．16mA，UTUP
f模拟电子技术基础
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4V，8ms。6．Up，uGSUP，UT，uGSUT。7．自给，分压式。8．减小，减小，减小。9．gm，Rs。32选择题1．P沟道结型场效应管中的载流子是。。
A．自由电子；B．空穴；C．电子和空穴；D．带电离子。2．对于结型场效应管，如果UGSUP，那么管子一定工作于A．可变电阻区；B．饱和区；C．截止区；D．击穿区。3．与晶体管相比，场效应管。。A．输入电阻小；B．制作工艺复杂；C．不便于集成；D．放大能力弱4．工作在恒流状态下的场效应管，关于其跨导gm，下列说法正确的是
2A．gm与IDQ成正比；B．gm与UGS成正比；
C．gm与UDS成正比；D．gm与IDQ成正比。5．P沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是。A．uGSUT，uDSuGSUT；B．uGSUT，uDSuGSUT；C．uGSUT，uDSuGSUT；D．uGSUT，uDSuGSUT。6．某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是A．P沟道结型管；B．增强型PMOS管；C．耗尽型PMOS管；D．N沟道结型管；E．增强型NMOS管；F．耗尽型NMOS管。7．r