墙平。炉子装好后即可通电合成，以电流电压强度来控制反应过程。当炉温升到1500℃时，开始生成βSiC，从2100℃开始转化成αSiC，2400℃全部转化成αSiC。合成时间为26～36h，冷却24h后可以浇水冷却，出炉后分层、分级拣选破碎后用硫酸酸洗，除掉合成料中的铁、铝、钙、镁等杂质。工业用碳化硅的合成工艺流程，如图1所示。
f图1合成碳化硅流程图
（四）合成碳化硅的理化性能
1合成碳化硅的化学成分一合成碳化硅的国家标准（GBT24801981见表5。
表3碳化硅的国家标准（GBT24801981）
粒度范围
黑碳化硅
12号至80号
化学成分
SiC（不少于）游离碳（不多于）Fe2O3（不多于）
98。5
020
0。60
f100号至180号
98。00
0。30
080
240号至280号
9700
0。30
1。20
20号至80号
9900
020
0。20
100号至180号
98。50
025
050
绿碳化硅
240号至280号W63至W20号
975097。00
0。25030
0。70070
W14至W10号
9550
0。30
070
W7至W5号
9400
050
0。70
（2）密度：以46号粒度为代表号绿碳化硅不小于318gcm3；黑碳化硅不小于312gcm3。
3粒度组成：应符合GBT24771981《磨料粒度及其组成》的规定；
4铁合金粒允许含量为零
5）磁性物允许含量：不大于02％。
2相组成
工业碳化硅的相组成是以αSiCⅡ型为主，含有一定量的βSiC其总量为92％995
其中还有少量的αSiCI和αSiCⅢ型
3。物理性能
1）真密度在312322gcm3，莫氏硬度为92一9。5，开始分解温度为2050℃。
（2）碳化硅试样的线膨胀系数和电阻率见表6，表7。
表4各种温度SiC的线膨胀系数
加热温度℃线膨胀系数℃1
800
1200
1600
0。42×106066×106088×106
表5各种温度SiC的电阻率
2000113×106
2400139×106
加热温度℃
60
220
720
1060
电阻率Ωcm
105
104。5
102
＜102
3碳化硅试样的热导率在500℃时，λ64。4W（mK）在875℃时入二414W（mK）。
4碳化硅在1400℃与氧气开始反应在9001300℃开始氧化、分离出SiO2，或产生CO
气体
（四制备碳化硅的投资预算
总投资约1150012000万元，建成年产11万吨左右的碳化硅生产基地。（主要设备变压器整流柜，高低压柜，碳化硅冶炼电炉等
如果投资14000万元，可建成年产12。5万吨左右的碳化硅生产基地。
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