河南工业大学继续教育学院模拟电子技术课程试卷
学习形式年级专业：任课教师A卷出卷时间20年学生姓名：学号封线月日
注：（1）不得在密封线以下书写班级、姓名（2）必须在密封线以下答题，不得另外加纸。………………………………………密
………………………………………
11．热阻的单位是A℃WBW℃CD12．N沟道耗尽型场效应管的电路符号为
℃P
题号得分
一
二
三
总成绩
合分人
密封线
专业…………………………姓名………………
一、单项选择题：（本题共20小题，每题2分，共40分。）1．在桥式整流电路中，变压器输出电压为6V，则每个二极管所承受的最大反向电压为62VA6VB12VCD3V2．当负载要求功率较大、效率较高时，常采用的稳压电路为A稳压二极管电路B开关式稳压电路C串联式稳压电路D低电压稳压电路3．晶体振荡电路的重要特点是A输出方波信号B输出信号的频率稳定C采用正反馈电路网络D输出信号的频率可调4．运算放大电路中，要求A差摸增益要尽可能的小B共摸增益要大C共摸抑制比要大D输入电阻要小5．大功率电源电路中，为了消除负载两端纹波电压，常用的滤波电路为AC型滤波电路B倒L型滤波电路C型滤波电路D复合型滤波电路6．单级运算放大器组成的积分电路中，当输入信号vs为阶跃电压时，vo可近似表示为vdv1vsdtstARCsBCDvsRCRCdt7．微分电路输入端输入方波信号，输出的信号为A正弦波信号B三角波信号C矩形波信号D脉冲信号8．图题18电路，如果R1R2、R3Rf，电路的传递函数为A

A
BC
C
D
学号…………………
13．场效应管的转移特性指AvDS与iD的关系BvGS与iD的关系
vT与iD的关系DvDS与iG的关系
14．在射极偏置单管放大电路中，改变Re不会影响电路的
A静态工作点B输入电阻C增益D输出电阻15．在PNP硅BJT组成的固定偏置电路中，增大基极偏置电阻，容易出现的失真为A截止失真B饱和失真C线性失真D幅频失真16．BJT放大电路静态工作点Q的选择（或工作点的高低），主要影响电路A电压放大倍数或增益B输出电压的幅度即动态工作范围C输入输出阻抗D交流负载线的斜率17．在BJT的输出特性曲线中，当iB为常量时，iC随vCE变化而明显变化的区域为A放大区B饱和区C截止区D发射区18．关于稳压二极管应用电路中，下面说法错误的是A电阻R的作用是分压B稳r