现代内存编号规则
一、DDRSDRAM：
现在正值DDRSDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDRSDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CTD5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDRSDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个ba
k数，封装方式则采用了TSOPII结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDRSDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIXDDRSDRAM颗粒编号：
HYXXXXXXXXXXXXXXXXX1234567891011121314
整个DDRSDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5DDDRSDRAM）
3．处理工艺及供电：（V：VDD33VVDDQ25V；U：VDD25VVDDQ25V；W：VDD25VVDDQ18V；S：VDD18VVDDQ18V）
4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M4K刷新；66：64M2K刷新；28：128M4K
f刷新；56：256M8K刷新；57：256M4K刷新；12：512M8K刷新；1G：1G8K刷新）
5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6．内存ba
k（储蓄位）：（1＝2ba
k；2＝4ba
k；3＝8ba
k）
7．接口类型：（1SSTL_3；2SSTL_2；3SSTL_18）
8．内核代号：（空白第1代；A第2代；B第3代；C第4代）
9．能源消耗：（空白普通；L低功耗型）
10．
封装类型：（TTSOP；QLOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC8x13mm））
11．
封装堆栈：（空白普通；SHy
ix；KMT；J＝其它；MMCP（Hy
ix）；
MU＝MCP（UTC））
12．
封装原料：（空白普通；P铅；H＝卤素；R铅卤素）
13．
速度：（D43＝DDR400333；D4DDR400344；J＝DDR333；M＝DDR333
222；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14．
工作温度：（I工业常温（4085度）；E扩展温度（2585度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDRSDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里r