加工流程
单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片
倒角→研磨
腐蚀抛光→清洗→包装
切断目的是切除单晶硅棒的头部尾部及超出客户规格的部分将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量
切断的设备内园切割机或外园切割机
切断用主要进口材料刀片
外径磨削由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大通过外径滚磨可以获得较为精确的直径
外径滚磨的设备磨床
平边或V型槽处理指方位及指定加工用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型
处理的设备磨床及XRAY绕射仪
切片指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片
切片的设备内园切割机或线切割机
倒角指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生增加磊晶层及光阻层的平坦度
倒角的主要设备倒角机
研磨指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层有效改善单晶硅片的曲度平坦度与平行度达到一个抛光过程可以处理的规格
研磨的设备研磨机双面研磨
主要原料研磨浆料主要成份为氧化铝铬砂水滑浮液
f腐蚀指经切片及研磨等机械加工后晶片表面受加工应力而形成的损伤层通常采用化学腐蚀去除
腐蚀的方式A酸性腐蚀是最普遍被采用的酸性腐蚀液由硝酸HNO3氢氟酸HF及一些缓冲酸CH3COCHH3PO4组成
B碱性腐蚀碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成抛光指单晶硅片表面需要改善微缺陷从而获得高平坦度晶片的抛光
抛光的设备多片式抛光机单片式抛光机
抛光的方式粗抛主要作用去除损伤层一般去除量约在1020um
精抛主要作用改善晶片表面的微粗糙程度一般去除量1um以下
主要原料抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH或KOH或NH4OH组成分为粗抛浆和精抛浆
清洗在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗这里的清洗主要是抛光后的最终清洗清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源
清洗的方式主要是传统的RCA湿式化学洗净技术
主要原料H2SO4H2O2HFNH4HOHHCL
3损耗产生的原因
A多晶硅单晶硅棒
多晶硅加工成单晶硅棒过程中如产生损耗是重掺埚底料头尾料则无法再利用只能当成冶金行业如炼铁炼铝等用作添加剂如产生损耗是非重掺埚底料头尾料可利用制成低档次的硅产品此部分应按边角料征税
重掺料是指将多晶硅原料及接近饱和量的杂质种类有硼磷锑砷杂质的种类依电阻的N或P型放入石英坩埚内溶化而成的料
重掺料主要用于生产低电阻率电阻率0011欧姆r