似于双极管的电流放大系数，测量方法也很相似。跨导常以栅压变化1V时漏电流变化多少微安或毫安表示。它的单位是西门子，用S表示，1S1AV。或用欧姆的倒数“姆欧”表示。
6、击穿电压（BVDS）当栅源电压VGS为一定值时，使漏电流IDS开始急剧增加的漏源电压值，用BVDS表示。当VGS不同时，BVDS亦不同，通常把VGS0时对应的漏源击穿电压记为BVDS。
五、实验目的：
1、学会识别场效应晶体管的管脚。2、掌握场效应晶体管直流特性的测量原理和方法，理解场效应晶体管的基本参数和工作原理。3、测试场效应晶体管的输出特性和转移特性、跨导、夹断电压和开启电压、击穿电压。
六、实验内容：
1、学会识别场效应晶体管的管脚。2、测试输出特性与转移特性3、测试阈电压VT4、测试跨导gm5、测试击穿电压（BVDS）
七、实验器材（设备、元器件）：
晶体管特征图示仪，2N7000增强型NMOS晶体管。
f八、实验步骤：
1、开启电源，预热5分钟，调节“辉度”、“聚焦”、“辅助聚焦”使显示清晰。2、识别MOS晶体管的管脚，按步骤逐一测试。3、测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏级）；测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即S（源极）对应E（发射极）；G（栅极）对应B（基极）；D（漏极）对应C（集电极）。4、测试阈电压VT将MOS场效应晶体管G、D、S分别接入图示仪的B、C、E端，将B、C端短路使其处于饱和状态。图示仪选择NPN、发射极接地、阶梯单族、阶梯电流最小。由Ids～Vgs得VT。5、击穿电压BVDS将峰值电压旋钮转回原始位置，电压范围改为0200V，x轴集电极电压改为5V度，或10V度，加大功耗电阻，再调节峰值电压，最下面一条输出特性曲线的转折点处对应的x轴电压，即为BVDS值。
九、实验数据及结果分析：
阈值电压MOS管2N700016V跨导300mS漏源击穿68V
图4
十、实验结论：
通过实验，可以得出结论如下：采用图示仪测量MOS晶体管各个参数较为方便快
f捷实用。测试出此增强型NMOS管的各个基本参数和输出特性、转移特性曲线，通过结合课本所学相关知识分析这些参数值均属于正常范围。
十一、总结及心得体会：
MOS场效应晶体管是一种半导体表面场效应器件，是靠多数载流子传输电流的单极器件。他利用了半导体的表面效应，使得晶体管在硅表面得以实现，从而广泛地应用于大规模集成电路和超大规模集成电路中，故MOS场效应晶体管在半导体器件中占有相当重要的地位。因而本实验对MOS晶体管的学习有重要的帮助，r