表示式。若
xL基区杂质分布为NaN0e推导出基区输运因子的表达式。
311基区直流扩展电阻对集电极电流的影响可表示为
rIcI0expVEIBrbbVT用公式以及示于图312的数据估算出bb
312推导出均匀掺杂基区晶体管的基区渡越时间表达式。假设xBL
〈〈1。若基区杂质分布为NaN0eaxxB重复
313考虑晶体管具有示于图316的杂质分布令发射极和基极面积相等
且rsc0发射极电流2mA集电结的反偏电压为10V
f计算在300K时截止频率。
314若实际晶体管的基极电流增益为0e
T0jm1j证明
式中T是共发射极电流增益模量为1时的频率。
315求出图323中输出短路时I0Ii的表达式。
求出它相应于I0Ii的数值下降到3dB的情况。
推导式
316若图316中Ic2mAVc10VhFE50A10
平方密耳突变结估算晶体
2管的复合模型参数。注双扩散晶体管用BxB4D
317证明平面型双扩散晶体管的穿透电压可用下式表示
BVqGGxB式中G为根梅尔数。
kx02NdC
318用两个晶体管模拟SCR的方法导出阳极电流做栅
电流的表示式。
319负的栅电流可以关断小面积的SCR关断增益定
义为IAIG其中IA为阳极导通电
流IG为关断器件所需的最小栅电流。
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