上电压则IGBT就可能会损坏。为防止此类情况发生应在IGBT的栅极与发射极间并接一只几十k的电阻此电阻应尽量靠近栅极与发射极。如图2所示。由于IGBT是功率MOSFET和PNP双极晶体管的复合体特别是其栅极为MOS结构因此除了上述应有的保护之外就像其他MOS结构器件一样IGBT对于静电压也是十分敏感的故而对IGBT进行装配焊接作业时也必须注意以下事项：在需要用手接触IGBT前应先将人体上的静电放电后再进行操作并尽量不要接触模块的驱动端子部分必须接触时要保证此时人体上所带的静电已全部放掉在焊接作业时为了防止静电可能损坏IGBT焊机一定要可靠地接地。IGBT在不间断电源的应用2．2集电极与发射极间的过压保护过电压的产生主要有两种情况一种是施加到IGBT集电极－发射极间的直流电压过高另一种为集电极－
f发射极上的浪涌电压过高。221直流过电压直流过压产生的原因是由于输入交流电源或IGBT的前一级输入发生异常所致。解决的办法是在选取IGBT时进行降额设计另外可在检测出这一过压时分断IGBT的输入保证IGBT的安全。222浪涌电压的保护因为电路中分布电感的存在加之IGBT的开关速度较高当IGBT关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时就会产生很大的浪涌电压Ldidt威胁IGBT的安全。通常IGBT的浪涌电压波形如图3所示。图中：vCE为IGBT电极－发射极间的电压波形ic为IGBT的集电极电流Ud为输入IGBT的直流电压VCESPUd＋Ldicdt为浪涌电压峰值。如果VCESP超出IGBT的集电极－发射极间耐压值VCES就可能损坏IGBT。解决的办法主要有：在选取IGBT时考虑设计裕量在电路设计时调整IGBT驱动电路的Rg使didt尽可能小尽量将电解电容靠近IGBT安装以减小分布电感根据情况加装缓冲保护电路旁路高频浪涌电压。由于缓冲保护电路对IGBT的安全工作起着很重要的作用在此将缓冲保护电路的类型和特点作一介绍。C缓冲电路如图4a所示采用薄膜电容靠近IGBT安装其特点是电路简单其缺点是由分布电感及缓冲电容构成LC谐振电路易产生电压振荡而且IGBT开通时集电极电流较大。RC缓冲电路如图4b所示其特点是适合于斩波电路但在使用大容量IGBT时必须使缓冲电阻值增大否则开通时集电极电流过大使IGBT功能受到一定限制。RCD缓冲电路如图4c所示与RC缓冲电路相比其特点是增加了缓冲二极管从而使缓冲电阻增大避开了开通时IGBT功能受阻的问题。该缓冲电路中缓冲电阻产生的损耗为PLI2f＋CUd2f式中：L为主电r