结果有何影响？
答：磁场不与霍尔片垂直，只有其法向分量能起作用，即霍尔片产生的霍尔
电压会减小。
3、能否用霍耳元件片测量交变磁场？若能，怎样测量？
答：能。
4、如何根据I，B和VH的方向，判断所测样品为N型半导体还是P型半导体？答：先设定I，B和VH的参考正方向：例如设定I从左向右为正，B垂直
纸面向内为正，正电荷向上偏转，则VH从下向上为正。然后将测量仪器按参考正方向连接。电流表要左边接红表笔，右边接黑表笔，电压表要下表面接红
表笔，上表面接黑表笔。然后将I，B均调为正，观察电压表的正负。根据UKIB，如果电压表为负数，则灵敏度K0，电子导电，N型半导体；如果电压表为正数，K0，空穴导电，P型半导体。
5、请根据欧姆定律推导出IsL（电导率为电阻率的倒数）。US
答：欧姆定律RU，电阻RL，则有UL1L，而
I
S
ISS
IIsUU
，故电导率
IsLUS
6、本实验的误差的主要误差有哪些，这些误差对实验有何影响？
答：主要误差有：测量工作电流的电流表的测量误差，测量霍尔器件厚度
d的长度测量仪器的测量误差，测量霍尔电压的电压表的测量误差，磁场方向
与霍尔器件平面的夹角影响等。这些误差会影响霍耳系数RH的计算，从而影响到载流子浓度
和迁移率的计算。
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