快、所需驱动功率小，驱动电路简单。（3）复合型器件：将上述两者器件相互取长补短结合而成，综合两者优点。（4）绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件，由GTR和MOSFET两个器件复合而成，具有GTR和MOSFET两者的优点，具有良好的特性。
IGBT的结构和工作原理
（1）IGBT是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。（2）IGBT由MOSFET和GTR组合而成。
第2章整流电路（1）整流电路定义：将交流电能变成直流电能供给直流用电设备的变流装置。
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f单相半波可控整流电路（4）触发角：从晶闸管开始承受正向阳极电压起，到施加触发脉冲为止的电角度，称为触发角或控制角。（7）几个定义①“半波”整流：改变触发时刻，ud和id波形随之改变，直流输出电压ud为极性不变但瞬时值变化的脉动直流，其波形只在u2正半周内出现，因此称“半波”整流。②单相半波可控整流电路：如上半波整流，同时电路中采用了可控器件晶闸管，且交流输入为单相，因此为单相半波可控整流电路。电力电子电路的基本特点及分析方法（1）电力电子器件为非线性特性，因此电力电子电路是非线性电路。（2）电力电子器件通常工作于通态或断态状态，当忽略器件的开通过程和关断过程时，可以将器件理想化，看作理想开关，即通态时认为开关闭合，其阻抗为零；断态时认为开关断开，其阻抗为无穷大。
单相桥式全控整流电路带电阻负载的工作情况（1）单相桥式全控整流电路带电阻负载时的原理图
①由4个晶闸管（VT1VT4）组成单相桥式全控整流电路。②VT1和VT4组成一对桥臂，VT2和VT3组成一对桥臂。（2）单相桥式全控整流电路带电阻负载时的波形图
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f①0：
VT1VT4未触发导通，呈现断态，则ud0、id0、i20。
，。
uVT1uVT4u2
uVT1
uVT4

12u2
②：
在角度时，给VT1和VT4加触发脉冲，此时a点电压高于b点，VT1和VT4承受正向电压，因此可靠导通，uVT1uVT40。
电流从a点经VT1、R、VT4流回b点。
udu2，i2id，形状与电压相同。③：

电源u2过零点，VT1
和VT4承受反向电压而关断，uVT1uVT4

12
u2
（负半周）。
同时，VT2和VT3未触发导通，因此ud0、id0、i20。
④2：
在角度时，给VT2和VT3加触发脉冲，此时b点电压高于a点，VT2和VT3承受正向电压，因此可靠导通，uVT2uVT30。
VT1阳极为a点，阴极为b点；VT4阳极为a点，阴极为b点；因此uVT1uVT4u2。电流从b点经VT3、R、VT2流回b点。
udu2，i2id。
（3）全波整流
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