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流灵敏度Si04AW,其暗电流ID02A,三极管3DG40的电流放大倍数50,最高入射辐射功率为400W时的拐点电压UZ10V。求入射辐射功率最大时,电阻Re的值与输出信号Uo的幅值。入射辐射变化50W时的输出电压变换量为多少?利用2CU22光电二极管和3DG40三极管构成如图346所示的探测电路。已
知光电二极管的电流灵敏度Si04AW,其暗电流ID02A,三极管3DG40的电流放大倍数50,最高入射辐射功率为400W时的拐点电压UZ10V。求入射辐射功率最大时,电阻Re的值与输出信号Uo的幅值。入射辐射变化50W时的输出电压变换量为多少?
11真空光电倍增管的倍增极有哪几种结构?各有什么特点?
12何谓光电倍增管的增益特性?光电倍增管各倍增极的发射系数δ与哪些因素有关?最主要的因素是什么?
13光电倍增管产生暗电流的原因有哪些?如何降低暗电流?
14怎样理解光电倍增管的阴极灵敏度和阳极灵敏度?二者的区别是什么?二者有什么关系?
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15光电倍增管GDB44F的阴极光照灵敏度为05μAlm,阳极灵敏度为50Alm,要求长期使用时阳极允许电流限制在2μA以内。求:(1)阴极面上允许的最大光通量。(2)当阳极电阻为75K时,最大的输出电压。(3)若已知该光电倍增管为12级的Cs3Sb倍增极,其倍增系数实计算它的供电电压。(4)当要求输出信号的稳定度为1时,求高压电源电压的稳定度。
02UDD07
16为什么说发光二极管的发光区在PN结的P区?这与电子、空穴的迁移率有关吗?
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17为什么发光二极管必须在正向电压下才能发光?反向偏置的发光二极管能发光吗?
18产生激光的三个必要条件是什么?粒子数反转分布的条件是什么?为什么LD必须有谐振腔?
19半导体激光器有什么特点?LD与LED发光机理的根本区别是什么?为什么LD光的相干性要好于LED光?
20假设两块光栅的节距为02mm,两光栅的栅线夹角为1°,求所形成的莫尔条纹的间隔。若光电器件测出莫尔条纹走过10个,求两光栅相互移动的距离。
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