f此之前约1950年发明了重氮萘醌酚醛树脂系光刻胶它最早应用于印刷业目前是电子工业用用最多的光刻胶近年随着电子工业的飞速发展光刻胶的发展更是日新月异新型光刻胶产品不断涌现。光刻胶按其所用曝光光源或辐射源的不同又可分为紫外光刻胶、深紫外光刻胶、电子束胶、离子束胶、X射线胶等。2光刻技术及工艺电子工业的发展离不开光刻胶的发展这是由电子工业微细加工的线宽所决定的。众所周知在光刻工艺中离不开曝光。目前采用掩膜版的曝光方式主要有接触式曝光和投影式曝光两种。光刻工艺过程光刻胶的种类虽然很多使用主艺条件依光刻胶的品种不同而有很大的不同但大体可遵从如下步骤：a基片处理：该工序包括脱脂清洗、高温处理等部分有时还需涂粘附增强剂进行表面改性处理。脱脂一般采用溶剂或碱性脱脂剂进行清洗然后再用酸性清洗剂清洗最后用纯水清洗。高温处理通常是在150160℃对基片进行烘烤去除表面水分。粘附增强剂的作用是将基片表面亲水性改变为憎水性便于光刻胶的涂布增加光刻胶在基片上的粘附性电。b涂胶：光刻胶的涂布方式有旋转涂布、辗涂、浸胶及喷涂等多种方式。在电子工业中应用较多的是旋转涂布。该方式的涂胶厚度一般取决于光刻胶的粘度及涂胶时的转速。膜厚转速曲线是光刻胶的一个重要特性。c前烘：前烘的目的是为了去除胶膜中残存的溶剂消除胶膜的机械应力。在电子工业中烘烤方式通常有对流烘箱和热板两种。前烘的温度和时间根据光刻胶种类及胶膜的厚度而定。以北京化学试剂研究所BN308系列紫外负性光刻胶为例当胶膜厚度为12μm时对流烘箱，7080℃，20mi
；热板，100℃，1mi
。d曝光：正确的曝光量是影响成像质量的关键因素。曝光不够或曝光过度均会影响复制图形的再现性。曝光宽容度大有利于光刻胶的应用。光刻胶的曝光量同样取决于光刻胶的种类及膜厚。以BN308系列负胶为例当膜厚为12μm时曝光
2030mJcm2e中烘：曝光后显影前的烘烤对于化学增幅型光刻胶来说至关重要中烘条件的好坏直接关系到复制图形的质量。重氮萘醌紫外正胶有时为提高图形质量亦进行中烘。f显影：光刻胶的显影过程一般分为两步显影和漂洗。显影方式有浸入、喷淋等方式在集成电路自动生产线上多采用喷淋方式。喷淋显影由于有一定压力能够较快显出图形一般显影时间少于1mi
。漂洗的作用也十分重要对于环化橡胶双叠氮系紫外负胶在显影时有溶胀现象在漂洗时能够使图形收缩有助于提高图形质量。该系列负胶通常采用正庚烷或r