电力电子技术复习题1
第1章电力电子器件
1电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2在通常情况下电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__而当器件开关频率较高时功率损耗主要为__开关损耗__。
3电力电子器件组成的系统一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成由于电路中存在电压和电流的过冲往往需添加_保护电路__。
4按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通承受反相电压截止_。
6电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9对同一晶闸管维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。
10晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为UDSM_大于__Ubo。
f11逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_如何连接在同一管芯上的功率集成器件。
12GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15IGBT的开启电压UGEth随温度升高而_略有下降__开关速度__小于__电力MOSFET。
16按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17IGBT的通态压降在12或13额定电流以下区段具有__负___温度系数在12或13额定电流以上区段具有__正___温度系数。
18在如下器件电力二极管PowerDiode、晶闸管SCR、门极可关断晶闸管GTO、电力晶体管GTR、电力场效应管电力MOSFET、绝缘栅双极型晶体管IGBT中属于不可控器件的是_电力二极管__属于半控型器件的是__晶闸管_属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、
fIGBT_属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET_属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR_属于复合型电力电子器件得有__IGBT_在可控的器件中容量最大的是_晶闸管_工作频率最高的是_电力MOSFET属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT_属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR_。
第2章整流电路
1电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_在单相半波可控整流电阻性负载电路r