冷吸附与变温吸附
方法原理
特点
在300500℃下，把待纯化的氢通入钯膜主要用于氢气与杂质的分离。
钯膜的一侧时，氢被吸附在钯膜壁上，原料氢气纯度要求≥9995。
由于钯的4d电子层缺少两个电子，它钯膜将氢气提纯后的氢气纯度可达到9999999。
能与氢生成不稳定的化学键（钯与氢的虽然钯对氢有独特的透过性能，但纯钯的机械性能膜分离
这种反应是可逆的），在钯的作用下，差，高温时易氧化，再结晶温度低，易使钯管变形和法钯
氢被电离为质子其半径为15×1015m，脆化，故不能用纯钯作透过膜。膜
而钯的晶格常数为388×1010m（20℃钯膜要实现工业化主要障碍是其成本太高，渗透率
时），故可通过钯膜，在钯的作用下质低，易发生氢脆等。
子又与电子结合并重新形成氢分子，从
钯膜的另一侧逸出。
在低温下将杂质吸附，使氢气得到进一要求原料气杂质含量≤500ppm。
深冷吸
步提纯。
氢气提纯后的氢气纯度可达到999999999（杂质＜
附
1ppb）
利用吸附剂的平衡吸附量随温度升高变温吸附（TSA）法再生彻底、回收率高、产品损失
而降低的特性，采用常温吸附、升温脱小，通常用于微量杂质或难解吸杂质的脱除的循环，变温吸
附的操作方法。除吸附和脱附外，整个但存在周期长、投资较大能耗高，吸附剂使用寿命不附
变温吸附操作中还包括对脱附后的吸长等缺点。
附剂进行干燥、冷却等辅助环节。
75钯膜、深冷吸附与变温吸附比较（1）钯膜吸附总投资约8、9百万元（按处理1200Nm3h氢气），运行成本
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02元Nm3hH2。钯膜使用寿命约1年，在使用时，要求尽可能连续运行，短时间停车时，必须用高纯氮进行保护。钯膜能将四个九至五个九的氢气提纯至六个九。钯膜要求进口压力在15～20MPa范围内。国内多晶硅到目前为止只有一家采用了此技术，主要是处理CVD循环氢气，刚用了几个月。
（2）深冷吸附能将氢气提纯至九个九以上，总投资约100万欧元（按处理1200Nm3h氢气初步估价）。运行成本极低，平均电耗低于05kwhh。吸附柱使用寿命15年。在国内多晶硅还没有应用，目前只知道法液空有此技术，国内还不清楚有谁能做。
（3）变温吸附总投资约30余万元，初始使用时效果很好，但使用后效率有衰减，切换频率提高较快。吸附剂使用寿命约1～2年。通常用碳吸附剂。使用效果不好时可能有碳带入。
（4）使用建议，如仅考虑CVD初次开车用新鲜氢气的提纯，可考虑使用变温吸附，这种方案投资最低。如考虑CVD循环氢气的提纯，钯膜和深冷吸附均可。四、天然r