集成电路制造工艺流程
1晶圆制造晶体生长切片边缘研磨抛光包裹运输晶体生长CrystalGrowth晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0。采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。此过程称为“长晶”。硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料晶圆。
切片Slici
g边缘研磨EdgeGri
di
g抛光SurfacePolishi
g切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。
包裹Wrappi
g运输Shippi
g晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。
2沉积外延沉积EpitaxialDepositio
在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积LPCVD方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。
精品word文档
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由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多采用。
9晶圆检查WaferI
spectio
Particles在晶圆制造过程中很多步骤需要进行晶圆的污染微粒检查。如裸晶圆检查、设备监控（利用工艺设备控制沉积到晶圆上的微粒尺寸），以及在CMP、CVD及离子注入之后的检查，通常这样的检查是在晶圆应用之前，或在一个涂光刻胶的层曝光之前，称之为无图形检查。
2沉积化学气相沉积ChemicalVaporDepositio
化学气相沉积CVD是在晶圆表面通过分解气体分子沉积混合物的技术。CVD会产生很多非等离子热中间物，一个共性的方面是这些中间物或先驱物都是气体。有很多种CVD技术，如热CVD、等离子CVD、非等离子CVD、大气CVD、LPCVD、HDPCVD、LDPCVD、PECVD等，应用于半导体制造的不同方面。
3光刻Photolithography光刻是在晶圆上印制芯片电路图r