要是速度上的差别回复22帖23帖人在旅途旅长1686200504271226
两个观点我都不认同回复23帖24帖世界真奇妙旅长
2459200504271316
384210N60只能做小功率电源不宜用IGBT替代MOSFET主要是IGBT的开关损耗太大小功率电源往往没有良好的散热条件IGBT与MOSFET的不同之处很多三言两语难于说全回复24帖25帖人在旅途旅长1686200504271325
我支持回复25帖26帖ghost团长
1360200504271355
只有设计得当就好了回复26帖27帖freesoul排长179200504271714
大家说说mosfet与igbt的区别吧回复27帖28帖人在旅途旅长1686200504271722
一个是正温度系数的电阻性质随电流温度的增大而端电压增大另一个是压降性的在一定电流范围内压降随电流变化不大且随温度的升高而压降降低驱动一般得有负压支持回复28帖29帖lq
1981班长82200504271725
IGBTI
sulatedGateBipolarTra
sistor绝缘栅双级型晶体管实质是一个场效应晶体管三个级分别称为E发射极C集电极G栅极MOSFETMetalOxideSemico
ductorFiedEffectio
Tra
sistor三个级分别称为D漏极S源极G栅极回复29帖30帖人在旅途旅长1686200504271726
MOSFET的耐压随温度的升高而升高最大允许电流则降低IGBT则可能相反回复30帖31帖人在旅途旅长1686200504271745
IGBT的最大允许电流也可能是随温度的升高而下降的耐压也会下降回复31帖32帖人在旅途旅长1686200504271759
fMOSFET的电阻温度系数还不小回复32帖33帖人在旅途旅长1686200504271749
IGBT的耐压容易做高而MOSFET不容易做高但电流容易做大回复33帖34帖freesoul排长179200504271753
igbt的电流容量可以做得比mosfet要大回复34帖35帖人在旅途旅长1686200504272143
36帖
接受谢谢指正回复35帖人在旅途旅长
1686200504271749
37帖
希望大家批评指正回复36帖gyzzg团长952200504271745
低压大电流下基本都用MOS高压下MOS的通态电阻无法做小而IGBT的通态压降相对不变在高压下损耗相
对小
回复37帖
38帖江湖电源师长
3276200504280558
一般软开关电路采用IGBT比较合适频率也可做高回复38帖44帖压路机工兵18二201007071212
低压大功率回复44帖39帖蓝海团长
MOS有优势，高压大功率IGBT有优势912八200504282356
一般mosfet的导通损耗比开关损耗大由较大的RDS引起的IGBT的开关损耗比导通损耗大由关断时的电流拖尾引起的所以IGBT一般不用在高频中IGBT的工作电流密度高于MOSFET即相同的硅片上IGBT可流过更多的电流一般硅片面积比MOSFET小一倍但工作电流可能是它r