因为较高的didt会导致电压尖脉冲、辐射和传导EMI增加。为选择正确的栅极驱动阻抗以满足导通didt的需求，可能需要进行电路内部测试与验证，然后根据MOSFET转换曲线可以确定大概的值见图3。
图3MOSFET的转移特性
假定在导通时，FET电流上升到10A，根据图3中25℃的那条曲线，为了达到10A的值，栅极电压必须从52V转换到67V，平均GFS为10A67V52V67mΩ。
公式1获得所需导通didt的栅极驱动阻抗把平均GFS值运用到公式1中，得到栅极驱动电压Vdrive10V，所需的didt600Aμs，FCP11N60典型值VGSavg6V，Ciss1200pF；于是可以计算出导通栅极驱动阻抗为37Ω。由于在图3的曲线中瞬态GFS值是一条斜线，会在Eo
期间出现变化，意味着didt也会变化。呈指数衰减的栅极驱动电流Vdrive和下降的Ciss作为VGS的函数也进入了该公式，表现具有令人惊讶的线性电流上升的总体效应。同样的，IGBT也可以进行类似的栅极驱动导通阻抗计算，VGEavg和GFS可以通过IGBT的转换特性曲线来确定，并应用VGEavg下的CIES值代替Ciss。计算所得的IGBT导通栅极驱动阻抗为100Ω，该值比前面的37Ω高，表明IGBTGFS较高，而CIES较低。这里的关键之处在于，为了从MOSFET转换到IGBT，必须对栅极驱动电路进行调节。
f传导损耗需谨慎在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600VMOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在指明最差情况下的工作结温下进行的。例如，FGP20N6S2SMPS2IGBT和FCP11N60SuperFET均具有1℃W的RθJC值。图4显示了在125℃的结温下传导损耗与直流电流的关系，图中曲线表明在直流电流大于292A后，MOSFET的传导损耗更大。
图4传导损耗直流工作
图5CCM升压PFC电路中的传导损耗
f不过，图4中的直流传导损耗比较不适用于大部分应用。同时，图5中显示了传导损耗在CCM连续电流模式、升压PFC电路，125℃的结温以及85V的交流输入电压Vac和400Vdc直流输出电压的工作模式下的比较曲线。图中，MOSFETIGBT的曲线相交点为265ARMS。对PFC电路而言，当交流输入电流大于265ARMS时，MOSFET具有较大的传导损耗。265APFC交流输入电流等于MOSFET中由公式2计算所得的229ARMS。MOSFET传导损耗、I2R，利用公式2定义的电流和MOSFET125℃的RDSo
可以计算得出。把RDSo
随漏极电流变化的因素考虑在内，该传导损耗还可以进一步精确化，这种关系如图6所示。
图6FCP11N60MOSFETRDSo
随IDRAIN和VGE的变化一篇名为“如何将功率MOSFET的RDSo
对漏极电流瞬态值的依赖性包含r