的反向并联二极管转换到IGBT的集电极的瞬间，VCE电压会上升。IGBT产品规格书中列出的Eo
能耗是每一转换周期Icollector与VCE乘积的时间积分，单位为焦耳，包含了与类饱和相关的其他损耗。其又分为两个Eo
能量参数，Eo
1和Eo
2。Eo
1是没有包括与硬开关二极管恢复损耗相关能耗的功率损耗；Eo
2则包括了与二极管恢复相关的硬开关导通能耗，可通过恢复与IGBT组合封装的二极管相同的二极管来测量，典型的Eo
2测试电路如图2所示。IGBT通过两个脉冲进行开关转换来测量Eo
。第一个脉冲将增大电感电流以达致所需的测试电流，然后第二个脉冲会测量测试电流在二极管上恢复的Eo
损耗。
假定在导通时，FET电流上升到10A，根据图3中25℃的那条曲线，为了达到10A的值，栅极电压必须从转换到，平均GFS为10A。
把平均GFS值运用到公式1中，得到栅极驱动电压Vdrive10V，所需的didt600Aμs，FCP11N60典型值VGSavg6V，Ciss1200pF；于是可以计算出导通栅极驱动阻抗为37Ω。由于在图3的曲线中瞬态GFS值是一条斜线，会在Eo
期间出现变化，意味着didt也会变化。呈指数衰减的栅极驱动电流Vdrive和下降的Ciss作为VGS的函数也进入了该公式，表现具有令人惊讶的线性电流上升的总体效应。
同样的，IGBT也可以进行类似的栅极驱动导通阻抗计算，VGEavg和GFS可以通过IGBT的转换特性曲线来确定，并应用VGEavg下的CIES值代替Ciss。计算所得的IGBT导通栅极驱动阻抗为100Ω，该值比前面的37Ω高，表明IGBT
fGFS较高，而CIES较低。这里的关键之处在于，为了从MOSFET转换到IGBT，必须对栅极驱动电路进行调节。
传导损耗需谨慎在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600VMOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在指明最差情况下的工作结温下进行的。例如，FGP20N6S2SMPS2IGBT和FCP11N60SuperFET均具有1℃W的RθJC值。图4显示了在125℃的结温下传导损耗与直流电流的关系，图中曲线表明在直流电流大于后，MOSFET的传导损耗更大。
不过，图4中的直流传导损耗比较不适用于大部分应用。同时，图5中显示了传导损耗在CCM连续电流模式、升压PFC电路，125℃的结温以及85V的交流输入电压Vac和400Vdc直流输出电压的工作模式下的比较曲线。图中，MOSFETIGBT的曲线相交点为RMS。对PFC电路而言，当交流输入电流大于RMS时，MOSFET具有较大的传导损耗。PFC交流输入电流等于MOSFET中由公式2计算所得的RMS。MOSFET传导损耗、I2R，利用公式2定义的电流和MOSFET125℃的RDSo
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