IC制造流程集成电路通常用单晶硅圆片制造，而单晶硅的直接材料就是多晶硅。普通沙子中的主要成分就是SIO2多晶硅的制备：
1提取粗硅：将二氧化硅和焦炭以一定的比例混合，在电炉中加热到16001800度，最终将二氧化硅还远得到粗硅。
2高温氯化：将粗硅和氯化氢在200300°下直接反应得到三氯化硅。3提纯三氯化硅：精镏法对三氯化硅进行提纯，利用了不同物质具有不同沸点的原理。4提取三氯化硅：高纯度的三氯化硅和高纯度的氢气在1100℃左右的高温还原炉中反应，最终得到高纯度的多晶硅。
多晶硅的纯度虽然已经非常高了，但是其混乱的晶体结构并不适合半导体制造。因此要得到制造半导体的材料，还需要经过一个从多晶硅到单晶硅的过程。
f单晶硅的制备大部分单晶硅都是通过直接拉法生长的，在单晶硅的生长中，首先将待提纯的多晶硅和杂质剂（硼，磷）
放入坩埚中熔融，并将籽晶（与所需晶体晶向相同的小单晶颗粒，他提供了一个晶体继续生长的中心）浸入熔体。当籽晶周围的溶液冷却后，硅晶体就依附在籽晶上。这些新的晶体承接籽晶的取向，形成了一个大的单晶体。
单晶硅生长完成后，当温度是当时便开始慢慢将晶体香山提拉并逐渐增大拉速。拉晶时晶轴以一定速度绕轴旋转，同时坩埚反方向旋转，将晶体控制到所需直径。当坩埚中硅原料剩到一定量时，逐渐升温并继续维持拉速，让尾部形成锥形，这样就完成了单晶硅棒的形成了。
原片制备：首先将单晶硅棒的头部和尾部切掉，用机械对其进行修整到合适的直径，之后得到一个合适直径和一定长度的硅棒，然后用金刚石锯来把硅棒切成一片片薄薄的圆片，圆片的每一处的厚度近似相等。然后进行研磨，减少圆片正面和背面的锯痕和表面损伤。同时打薄晶园片。研磨后需要对晶圆进行刻蚀和清洗，使用氢氧化钠，乙酸和硝酸的混合物来减轻研磨过程中产生的损伤和裂纹。之后利用倒角工艺将圆片的边缘磨圆，彻底消除将来电路制作过程中破损的可能性。倒角之后需要对晶圆片的边缘进行抛光，以提高整体清洁度以进一步减少破损。这时候一片完美的晶圆就制造出来了。
f研磨清洗硅片尺寸检查
f圆片制备过程
圆片切割机
集成电路的制造工艺非常复杂，简单的说，就是在沉底材料上，运用各种方法形成不同的层，并在选定的区域掺入杂质，以改变半导体材料的导电特性，形成半导体器件的过程，在这个过程中更需要通过很多步骤才能完成，从晶圆片到集成电路成片大约需要经过数百道工序。通过这些复杂的工序，就能够在一块微小r