集电极电流为IcgIc时才动作，但此时工作点已经移至线性放大区，到元件关断时已出现高损耗，导致GTR损坏。2如以测量集射极电压Uce作为过流保护原则，在相同的相对测量误差下，GTR工作点移动较小，元件关断时功耗只略有增加，可保证器件安全。3设基极电流Ib减小Ib，当采用电流Ic测量的保护方式时，GTR关断时工作点已
经进入线性放大区；当采用电压Uce测量保护时，GTR关断时工作点仍在饱和区，确保器件
f安全。
3．GTR、PMOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何？其减少被保护器件开关损耗的机理如何？答：缓冲电路的功能包括抑制和吸收二个方面。下图为电路的基本结构。关断过程：Cs与GTR集射极并联，利用Cs两端电压不同突变的原理延缓关断时集射极间电压Uce上升的速度，使Uce达最大值之前集电极电流Ic已变小，从而使关断过程瞬时功耗变小。R是限制GTR导通时电容的放电电流。开通过程：Ls与GTR串联，延缓了集电极电流的增长速度，且当电流急剧增大时会在其上产生较大压降，使得集射极电压在导通时迅速下降。这样电压、电流出现最大值的时间错开，关断时功耗明显减小。
f第3章
1、某电阻负载要求（0～24）V直流电压，最大负载电流Id＝30A，采用单相半波可控整流电路。如交流采用220V直接供电与用变压器降至60V供电是否都满足要求？试比较两种方案的晶闸管导通角、额定电压、额定电流、整流电路功率因数以及对电源要求的容量。答：1220V供电
Ud04U52
1cos21cos240452202
121
18059
si
22I2Id1cos2
ITAV
si
2422
12118030841A1cos1212
15～2I2803510713A157
UTM2220311V
UR2～3UTM62239334V
1si
242
cos
1si
2424

121180031052
S1U2I222084118502VA185KVA
（2）60V供电
2404560
1cos2
389
1801411
I2
si
22
1cos2
si
7782
Id
389180305137A1cos3892
ITAV
15～2I2491644A157
fUTM2608485V
UR2～3UTM16972546V
1si
242
cos
1si
7784

38918006852
S1U2I26051373082VA3082KVA
2、单相桥式可控整流电路，带电阻大电感r