变，而电容值由
C10Sd

C20rSd
插入介质前后电容器储存的电场能量由
2We1CU20SU22d1

We2C2U220rSU22d
则静电能的改变：
WeWe2We1r10SU22d
⑵电容器上带电量的增量为：
QC2UCUr10SUd1
则电场对电源作的功为：
A1QU1r0SU2d
⑶设电场对介质作的功为A2，根据功能原理：
A2A1We
A2WeA1r10SU22d
3．一段导线先弯成图（a）所示形状，然后将同样长的导线再弯成图（b）所示形状。在导线通以电流I后，求两个图形中P点的磁感应强度之比。
（a）
f（b）解：图中（a）可分解为5段电流。处于同一直线的两段电流对P点的磁感应强度为零，其他三段在P点的磁感应强度方向相同。长为l的两段在P点的磁感应强度为
B1
20I4l20I4l20I2l
长为2l的一段在P点的磁感应强度为所以
B2
BB2B1
图（b）中可分解为3段电流。处于同一直线的两段电流对P点的磁感应强度为零，半圆弧在P点的磁感应强度为
B2
所以
0I
16l
IBB2016l
两个图形中P点的磁感应强度之比
B82B2
4．如图所示的长空心柱形导体半径分别为R1和R2，导体内载有电流I，设电流均匀分布在导体的横截面上。求（1）导体内部各点的磁感应强度。（2）导体内壁和外壁上各点的磁感应强度。
f解：导体横截面的电流密度为

IRR12
22
在P点作半径为r的圆周，作为安培环路。由

Bdl0I
221
得B2r0rR
0Ir2R12
2R2R12
即
B
0Ir2R1222rR2R12
对于导体内壁，rR1，所以B0对于导体外壁，rR2，所以B
0I2R2
ffr