生产厂家的公式是不相同的，要按该型
f号资料提供的损耗公式计算，否则会有较大的计算误差。损耗计算的方法是，根据已知的使用条件先初选一个功率MOSFET，要满足VDSSVi
max、ID≥IOUTmax、Ciss或Crss小、RDSo
小的要求，然后按公式计算其损耗。若计算出来的损耗小于一定条件下的PD，则计算有效，可选用初选的功率MOSFET；若计算出来的损耗大于PD，则重新再选择或采用两个功率MOSFET并联，使12计算出来的损耗PD。计算前要已知：输入电压VIN或Vi
max及VINmi
、输出电压VOUT、最大输出电流IOUTmax、开关频率fsw。一般所选的MOSFET的PD往往是1～15W，其目的是减小损耗、提高效率。本文介绍美信公司的MAX8720单相降压式DCDC控制器及飞兆公司的多相降压式DCDC控制器FAN5019B组成的电路中的MOSFET损耗计算。损耗计算公式是非常简单的，关键是如何从MOSFET样本或数据资料中正确地选取有关参数。MOSFET主要参数的选取ID及PD值的选取MOSFET的资料中，漏极电流ID及允许耗散功率PD值在不同条件下是不同的，其数值相差很大。例如，N沟道功率MOSFETIRF6617的极限参数如表1所示。表1连续工作状态下的极限值
最大漏极电流IDM120A以最大结温为限的脉冲状态工作。不同的MOSFET生产厂家对ID及PD的表达方式不同。例如，安森美公司的NTMFS4108N的ID及PD参数如表2所示。表2最大极限值Tj25℃，否则另外说明
注：安装条件1为MOSFET安装在敷铜钣面积为65cm2的焊盘上见图4安装条件2为MOSFET安装在敷铜钣面积为27cm2的焊盘上见图4
f最大漏电流IDM106A脉冲状态，Tp10μs。在DCDC转换器中，MOSFET工作在占空比变化的脉冲状态，但也不是工作于窄脉冲状态；工作温度范围是40～85℃。表1、表2中无这种工作条件下的ID及PD值。ID可在下面的范围内选取：TA70～85℃时的IDID≤连续或短时的最大值。例如，表1中的ID可取11～55A，表2中的ID可取16～35A。PD一般选最小值。RDSo
值的选取MOSFET资料中给出结温Tj25℃及VGS10V及VGS45V时的典型RDSo
值及最大RDSo
值。另外，RDSo
也随结温上升而增加。一般RDSo
是在已知的VGS条件下由驱动器或控制器的VCC决定，取RDSo
最大值为计算值。Ciss及Crss的选取在计算开关管损耗时要用到输入电容CissCissCGDCGS或反馈电容CrssCrssCGS值。为减小开关损耗，要选择Ciss或Crss小的MOSFET。Ciss一般为上千到数千pF，而Crss一般为几十到几百pF。“MOSFETT选择指南”或“简略表”中往往没有Ciss或Crss参数，但有总栅极电容r