功率MOSFET的工作原理
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子电子吸引到栅极下面的P区表面。
当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。
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2升压斩波电路原理
升压直流变流器用于需要提升直流电压的场合，其原理图如图12所示。
电路中V导通时，电流由E经升压电感L和V形成回路，电感L储能；当V关断时，电感产生的反电动势和直流电源电压方向相同互相叠加，从而在负载侧得到高于电源的电压，二极管的作用是阻断V导通是，电容的放电回路。调节开关器件V的通断周期，可以调整负载侧输出电流和电压的大小。
假设L值、C值很大，V通时，E向L充电，充电电流恒为I1，同时C的电压向负载供电，因C值很大，输出电压u0为恒值记为U0。设V通的时间为to
，此阶段L上积蓄的能量为EI1to
。V断时，E和L共同向C充电并向负载R供电。设V断的时间为toff，则此期间电感L释放能量为：
U0EI1toff
稳态时，一个周期T中L积蓄能量与释放能量相等
EI1to
U0EI1toff
化简得：
U0
to
tofftoff
ETtoff
E
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上式中
Ttoff
1，输出电压高于电源电压，故称升压斩波电路。
T
tofft
升压比，调节其即可改变U0。将升压比的倒数记作β，即off。和导通占空比，有如下关系：
T
1
因此，式（12）可表示为：
1
1
U0E1E
升压斩波电路之所以能使输出电压高于电源电压，关键有两个原
因一是L储能之后具有使电压泵升的作用，二是电容C可将输出电
压保持住。在以上分析中，认为V处于通态期间因电容C的作用使得
输出电压Uo不变，但实际上C值不可能为无穷大，在此阶段其向负
载放电，U。必然会有所下降，故实际输出电压会略低于理论所得结
果，不过，在电容C值足够大时，误差很小，基本可以忽略。
3DCDC升压斩波电路输入、输出电压的关系
由直流斩波电路的原理可知
U0

to
tofftoff
TE
toff
E
输入电压为输入直流电压范围：10V15V，要求输出直流电压：
20V。所以只要根据输入的电压控制全控晶闸管MOSFET关断的时间和
开通的时间比就可，即升压比就可得到所需电压。由计算得：
13
2
r