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第3章习题参考答案
1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问1该存储器能存储多少字节的信息？2如果存储器由512K×8位SRAM芯片组成，需要多少片？3需要多少位地址作芯片选择？解：1该存储器能存储：220324M字节
8
2需要22032220328片512K82198
3用512K8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。所以只需一位最高位地址进行芯片选择。2、已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M×8位的DRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用内存条结构形式，问；1若每个内存条为16M×64位，共需几个内存条2每个内存条内共有多少DRAM芯片3主存共需多少DRAM芯片CPU如何选择各内存条解：
1共需226644条内存条16M64
2每个内存条内共有16M6432个芯片4M8
3主存共需多少2266464M64128个RAM芯片，共有4个内存条，故4M84M8
CPU选择内存条用最高两位地址A24和A25通过2：4译码器实现；其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择。3、用16K×8位的DRAM芯片构成64K×32位存储器，要求：1画出该存储器的组成逻辑框图。2设存储器读写周期为05μS，CPU在1μS内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理两次刷新的最大时间间隔是多少对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少解：1用16K×8位的DRAM芯片构成64K×32位存储器，需要用64K324416个芯片，其中每4片为一组构成16K×32位进行字长位16K8数扩展一组内的4个芯片只有数据信号线不互连分别接D0D7、D8D15、D16D23和D24D31，其余同名引脚互连，需要低14位地址A0A13作为模块内各个芯片的内部单元地址分成行、列地址两次由A0A6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A14、A15通过2：4译码器实现4组中选择
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一组。画出逻辑框图如下。2设刷新周期为2ms，并设16K8位的DRAM结构是1281288存储阵列，则对所有单元全部刷新一遍需要128次每次刷新一行，共128行
若采用集中式刷新，则每2ms中的最后12805s64s为集中刷新时间，不能进行正常读写，即存在64s的死时间若采用分散式刷新，则每1s只能访问一次主存，而题目要求CPU在1μS内至少要访问一次，也就是说访问主存的时间间隔越短越好，故此方法也不是最适合的比较适合采用异步式刷新：
采用异步刷新方式，则r