SVD4N60DFGT说明书4A、600VN沟道增强型场效应管描述SVD4N60DFGTN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的SRi
TM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于ACDC开关电源，DCDC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。特点4A，600V，RDSo
（典型值）20ΩVGS10V低栅极电荷量低反向传输电容开关速度快提升了dvdt能力命名规则产品规格分类产品名称SVD4N60TSVD4N60FSVD4N60FGSVD4N60DSVD4N60DTR封装形式TO2203LTO220F3LTO220F3LTO2522LTO2522L打印名称SVD4N60TSVD4N60FSVD4N60FGSVD4N60DSVD4N60D材料无铅无铅无卤无铅无铅包装料管料管料管料管编带httpwwwju
yiiccom版本号：1420110901共9页第1页SVD4N60DFGT说明书极限参数除非特殊说明，TC25°C参数名称漏源电压栅源电压漏极电流漏极脉冲电流耗散功率（TC25°C）大于25°C每摄氏度减少单脉冲雪崩能量（注1）工作结温范围贮存温度范围TC25°CTC100°C符号VDSVGSIDIDMPDEASTJTstg10008参数范围SVD4N60TSVD4N60FG600±304025163302627655～15055～15077062SVD4N60D单位VVAAWW°CmJ°C°C热阻特性参数名称芯片对管壳热阻芯片对环境的热阻符号RθJCRθJA参数范围SVD4N60T125625SVD4N60FG385120SVD4N60D161110单位°CW°CW关键特性参数除非特殊说明，TC25°C参数漏源击穿电压漏源漏电流栅源漏电流栅极开启电压导通电阻输入电容输出电容反向传输电容开启延迟时间开启上升时间关断延迟时间关断下降时间栅极电荷量栅极源极电荷量栅极漏极电荷量符号BVDSSB测试条件VGS0V，ID250AVDS600V，VGS0VVGS±30V，VDS0VVGSVDS，ID250AVGS10V，ID2AVDS25V，VGS0V，f10MHZVDD300V，ID4A，RG25Ω注2，3VDS480V，ID4A，VGS10V注2，3最小值60020典型值206726647271916022198472最大值10±1004024单位VA
AV
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yiiccom版本号：1420110901共9页第2页SVD4N60DFGT说明书源漏二极管特性参数参源极电流源极脉冲电流源漏二极管压降反向恢复时间反向恢复电荷注：123L30mH，IAS381A，VDD175V，RG25Ω，开始温度TJ25°C；脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2；基本上不受工作温度的影响。数符号ISISMVSDTrrQrr测试条件MOS管中源极、漏极构成的反偏PN结IS40A，VGS0VIS40A，VGS0V，dIFdt100Asr