诱导磁性产生；系统地研究了二维ReSe2的带隙及迁移率性质，发现随着层数的变化，器件性能也随之改变。项目成果被欧美等国家和地区的知名学者（包括诺贝尔奖获得者、美国欧洲科学院院士、英国皇家学会院士、美国物理学会会士等）作为领域重要进展写入专著或论文，十篇代表性论文SCI他引993次（总引用次数为1036次），其中6篇入选ESI高被引论文榜，获国家授权发明专利4项。项目围绕新型二维半导体的设计、制备与应用，从理论上预言了二维半导体及其异质结器件的新奇量子效应，从实验上系统研究了二维材料及光电器件的特性，这些理论和实验工作对半导体学科和半导体技术的发展起到重要的促进作用。项目组是国际上最早开展二维半导体材料与器件的研究小组之一，获得国际学术界的广泛关注，并且在很大程度上引领了相关领域的研究热点。
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