器次级的输出电容C5来提供，由于工作频率较高，所以输出电容C5不需太大。当PWM控制器输出低电平时，场效应管截止，变压器次级开始向负载释放能量，同时向输出电容C5进行充电，整个过程通过光电耦合U2的反馈支路进行控制。考虑到输出电压太高会引起VIPer12A芯片本身损耗增大，可能导致发热损坏，所以本设计运用低成本的双运放U4（LM358）中的一个（U42）设计成电压控制环路，使
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f该电源输出最高电压控制在135V左右，能够够快速有效地保护电源工作在可控的范围以内。同时为了控制LED的功耗，本设计又运用双运放U4的另一个（U41）设计成电流控制环路，使LED工作在恒流350mA左右，以满足LED的工作要求，限制其自身功耗。双环路的自动控制可以提高本电源工作的可靠性和稳定性。为了防止产生自激，在两个环路中各自增加了RC补偿网络，如图5所示。启动时由芯片的高压源产生激磁电流，使输出端建立电压，同时变压器的辅助绕组随着输出也建立相应的电压，给VIPer12A芯片供电，开始正常用工作，RS为电流取样电阻，同时有过载保护作用。
（a）引脚图；
（b）内部结构图
图4VIPer12A芯片
图5LED灯电源原理图
223变压器的设计与制作
高频变压器设计是LED灯电源的关键部件，可以通过相关的设计工具来进行设计。由于工作在
60KHZ，使用的磁芯都为铁氧体材料，选择材料可按下述公式计算得功率容量AP为：APAwxAePtx1062XkoxkcxFoscxBmxJxη
上式中：Aw为磁芯的窗口面积；Ae为磁芯的有效横截面积；Pt为变压器的标称输出功率；Ko为窗口的填充系数；kc为磁芯的填充系数；Fosc为电源的工作频率；Bm为变压器的磁通密度；J为电流密度；η为变压器的工作效率。本设计取：Pt035x1355W；Ko≈02；kc≈1；Fosc60KHZ；Bm1500Gs；J5Amm2。将选取数据代入上式计算得：
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fAwxAe0031cm4考虑到绕线空间，宜选择窗口面积大一些的铁芯，查有关手册：
选用日本NiceraEI19铁氧体磁芯，其有效截面积Ae23mm2；AW55mm2；初始导磁率
为2300。可计算得EI19铁氧体磁芯的率容量AP为：APAwxAe023x055012cm40031cm4满足计算要求（实际上选择以后还需验
证调整），变压器的引脚图及外形图如图6所示。变压器各绕组的计算与电源的工作方式、电源的输入电压范围、工作频率、脉冲占空比等诸多因素有关，计算过程比较复杂，而且结果不是唯一的。下面只把某组计算结果列出。
图6变压器的引脚图及外形图
初级绕组（即输入绕组）P1、P2选用ф016mm的高强度漆包线，绕112匝，初级电感量为20Mh；
次级绕组r