1RENARENA的在线式湿法刻边设备应该来说是最早进入中国市场的，采用“水上漂”的方式进行的在线式湿法刻边设备应该来说是最早进入中国市场的，采用“水上漂”背面和边缘的腐蚀，的混合溶液。背面和边缘的腐蚀，然后再用HF去除PSG，背腐蚀采用的是HNO3HFH2SO4的混合溶液。，H2SO4溶液的作用本人认为是增大溶液的张力，防止溶液漫延到上表面造成过刻。溶液的作用本人认为是增大溶液的张力，防止溶液漫延到上表面造成过刻。RENA刻蚀的缺点：由于PSG是亲水性的，“水上漂”的时候，上表面亲水的PSG很容易将刻蚀的缺点：是亲水性的，水上漂”的时候，溶液吸附到上表面，造成过刻。溶液吸附到上表面，造成过刻。所以RENA“水上漂”对设备的机械精度要求很高，并且对“水上漂”对设备的机械精度要求很高，使用过程中排风的稳定性等要求也比较高，使用过程中排风的稳定性等要求也比较高，以前国内某大厂出现过大批量RENA造成的过刻黑边”“黑边”片。2库特勒一样，也是采用的“水上漂”库特勒和RENA一样，也是采用的“水上漂”。库特勒和RENA的不同在于库特勒避免了RENA的上述缺点，采用先去PSG，再刻蚀的方法。去除PSG后的硅片是疏水的，所以就算的上述缺点，后的硅片是疏水的，，再刻蚀的方法。那么好，由于硅片上表面是疏水的，库特勒的加工精度做不到RENA那么好，由于硅片上表面是疏水的，溶液不会漫延到上表面能获得比较好的刻蚀效果，黑边”问题问题。去，能获得比较好的刻蚀效果，没有RENA的“黑边问题。库特勒的缺点：槽之前，槽的时候，库特勒的缺点：由于库特勒的去PSG是在KOH槽之前，所以硅片在通过KOH槽的时候，由的保护，结会轻微腐蚀，造成方阻上升的情况，于缺乏PSG的保护，碱液对PN结会轻微腐蚀，造成方阻上升的情况，而且这种方阻上升还是不均匀的上升，给电池工艺的稳定性带来影响。是不均匀的上升，给电池工艺的稳定性带来影响。3SchmidSchmid刻蚀设备避免了上述两家设备的问题，采用滚轮将溶液带到硅片背面，将硅片背面刻蚀设备避免了上述两家设备的问题，采用滚轮将溶液带到硅片背面，腐蚀的方法进行刻蚀，而非与溶液直接接触的“水上漂”硅片是由滚轮拖着往前走，腐蚀的方法进行刻蚀，而非与溶液直接接触的“水上漂”。硅片是由滚轮拖着往前走，液面要比滚轮的上表面低。面要比滚轮的上表面低。由于滚轮一直是往一个方向转动的，就会造成硅片表面前后刻蚀量不同，由于滚轮一直是往一个方向转动的，就r