（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利说明书
（10）申请公布号CN104204837B（43）申请公布日20170620
（21）申请号CN2012800692853
（22）申请日20121211（71）申请人优瑞技术公司
地址美国俄亥俄州（72）发明人施玛瑜M施瓦特斯曼詹姆士F登普西高登戴米斯特
（74）专利代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司代理人张春媛
（51）I
tCI
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称MRI装置的有源电阻补偿
（57）摘要
在磁共振成像MRI系统中可以使用有源电阻匀场线圈组件208，以降低成像容积中磁场的非均匀性。公开的实施例可以与连续系统、豁开的圆柱形系统或者垂直豁开系统一起使用。公开的实施例还可以与开放式MRI系统一起使用和可以和在MRI系统的缺口102中布置的仪器104一起使用。本公开的有源电阻匀场线圈组件的示范性实施例包括有源电阻匀场线圈每个有源电阻匀场线圈都可操作以便由穿过多个电源通道的分开的电流激励。在一些实施例中，公开的有
f源电阻匀场线圈组件允许以各种自由度以补偿场非均匀性。
法律状态
法律状态公告日20141210201501072016082420170620
法律状态信息公开实质审查的生效著录事项变更授权
法律状态公开实质审查的生效著录事项变更授权
f权利要求说明书
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f说明书
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