小。此电路的基本数量关系为：（1）电流连续时负载电压的平均值为
Uo
to
tEo
EαEto
toffT
IoUoEmR
11
式中，to
为V处于通态的时间，toff为V处于断态的时间，T为开关周期，α为导通占空比，简称占空比或导通比。负载电流平均值为12（2）电流断续时，负载电压uo平均值会被抬高，一般不希望出现电流断续的情况。斩波电路有三种控制方式：脉冲宽度调制（PWM）：保持开关周期T不变，调节开关导通时间to
，频率调制：保持开关导通时间to
不变，改变开关周期T。混合型：to
和T都可调，使占空比改变。
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IGBT驱动电路选择
IGBT的门极驱动条件密切地关系到他的静态和动态特性。门极电路的正偏压uGS、负偏压uGS和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态电压、开关、开关损耗、承受短路能力及dudt电流等参数有不同程度的影响。其中门极正电压uGS的变化对IGBT的开通特性，负载短路能力和duGSdt电流有较大的影响，而门极负偏压对关断特性的影响较大。同时，门极电路设计中也必须注意开通特性，负载短路能力和由duGSdt电流引起的误触发等问题。根据上述分析，对IGBT驱动电路提出以下要求和条件：1由于是容性输出输出阻抗；因此IBGT对门极电荷集聚很敏感，驱动电路必须可靠，要保证有一条低阻抗的放电回路。2用低内阻的驱动源对门极电容充放电，以保证门及控制电压uGS有足够陡峭的前、后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。另外，IGBT开通后，门极驱动源应提供足够的功率，使IGBT不至退出饱和而损坏。3门极电路中的正偏压应为12～15V；负偏压应为2V～10V。4IGBT驱动电路中的电阻RG对工作性能有较大的影响，RG较大，有利于抑制IGBT的电流上升率及电压上升率，但会增加IGBT的开关时间和开关损耗；RG较小，会引起电流上升率增大，使IGBT误导通或损坏。RG的具体数据与驱动电路的结构及IGBT的容量有关，一般在几欧～几十欧，小容量的IGBT其RG值较大。5驱动电路应具有较强的抗干扰能力及对IGBT的自保护功能。IGBT的控制、驱动及保护电路等应与其高速开关特性相匹配，另外，在未采取适当的防静电措施情况下，IGBT的G～E极之间不能为开路。IGBT驱动电路分类驱动电路分为：分立插脚式元件的驱动电路；光耦驱动电路；厚膜驱动电路；专用集成块驱动电路。本文设计的电路采用的是专用集成块驱动电路。IGBT驱动电路分析随着微处理技术的发展包括处理器、系统结构和存储器件，数字
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f信号处理器以其优越的性能在交流调速、运动控制领域得到了广r