%。RJHo
g,E
Ga
gFu等利用中频磁控溅射法在玻璃、硅片衬底上制备了AZO薄膜,发现工作气体氧气或氩气分压、衬底温度对薄膜结构、光电特性有重要的影响。DHZha
g等利用射频磁控溅射法在聚亚安脂和聚丙烯己二酸聚合物衬底上沉积了AZO薄膜,发现衬底温度、溅射功率、气压、靶材的成分都会影响成膜的质量。KEllmer等同时利用射频和直流励磁磁控溅射制备了AZO薄膜,对靶材增加直流激励能提高薄膜的沉积速率,通过调整DC:RF的比可以调谐靶的电压和离子的能量。WWWa
g等利用直流磁控溅射法以Z
Al金属靶材Al∶3wt%为源在玻璃衬底上制备了AZO薄膜,实验得出最佳工艺参数:衬底温度250℃,O2/Ar比为10∶40,溅射功率55W。ChitraAgashe等报道了射频、中频、直流各种磁控溅射的沉积参数包括靶材参杂浓度、膜厚、溅射气压、沉积温度对薄膜
f光电性能的影响。关于AZO薄膜的多靶式共溅镀法报道也越来越多。KTomi
aga等报道了Z
靶在Z
O∶Al和Z
靶共溅成膜中的作用及Z
靶中的Co,和Cr杂质对成膜的影响。M
Byeo
gYu
Oh等利用多靶式共溅镀法制备了AZO薄膜,研究发现Al掺杂没有改变Z
O的纤锌矿结构,随着Al浓度的增加薄膜表面变得粗糙,当Al掺杂为207wt%时薄膜的电阻率为6×103cm,载流子浓度2×1020cm3,可见光透射率高达90%。PJKelly等介绍了一种新奇的镀膜方法:脉冲直流磁控溅射法,分析了直流磁控溅射和射频磁控溅射的局限性,并用此法制备出高质量、少缺陷、有较好光电性能的AZO薄膜。22溶胶凝胶工艺溶胶凝胶法是目前制备纳米薄膜的最重要的方法之一。该方法工艺设备简单,无需真空条件,制作成本低;易获得均匀相多组分体系,可以有效地控制薄膜的组分和结构;薄膜制备温度低,易在各种不同形状的基底上实现大面积成膜。所以国内外已有很多研究人员用该方法来制备AZO薄膜。A.E.Jime
ez等采用浓度为14%w/w的Z
CH3COO22H2O的甲醇溶液作为前驱体,Al/Z
原子比为11AlCl36H2O或者0218Al2∶NO339H2O为掺杂剂,利用溶胶凝胶法制备出c轴择优取向,六角形结构,高电导率,可见光谱区透射率高达90%的AZO薄膜。RMaity等采用摩尔浓度为085mol/l的Z
CH3COO22H2O的异丙醇溶液为前驱体,二乙醇胺为稳定剂,(AL(NO339H2O为掺杂剂,利用溶胶凝胶浸渍法制备了AZO薄膜,研究发现室温下,对于不同的A1掺杂浓度,膜的电导率在008至139S/cm范围,实验过程中还发现了Poole-Fre
kel效应。TSchuler,MAAegerter利用上述材料通过溶胶凝胶法在DESAGAF45r